Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej = The modeling of the CVD epitaxial process - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej = The modeling of the CVD epitaxial process

Download

Title: Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej = The modeling of the CVD epitaxial process

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Proceedings of ITME 1985 z. 15

Publisher:

Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"

Place of publishing:

Description:

104 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 101-103

Relation:

Proceedings of ITME

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:31005

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - material Electronic materials CVD modeling of epitaxial process Si

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jul 9, 2013

Number of object content downloads / hits:

717

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/17852

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

PRACE ITME
- PRACE ONPMP
- PRACE ITME

Edition name	Date
Korec Jacek, Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej	Oct 2, 2020

Objects Similar

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

Badania zależności składu i struktury chemicznie osadzonych warstw azotku krzemu od parametrów procesu technologicznego = Investigation of chemically deposited Si3N4 films composition and structure-depending on technological process parameters

Skrzynecka Irena

1974

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu = Masking investigation of silicon thermal oxidation process by chemically deposited Si3N4 films

Skrzynecka Irena

1975

Text

Krzemowe warstwy homoepitaksjalne = Homoepitaxial silicon layers

Korec Jacek

1978

Text

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information