Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu

Pobierz

Tytuł: Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu

Twórca:

Skrzynecka Irena

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1975 nr 1(9)

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Opis:

s. 36-39 : il. ; Bibliogr. s. 39

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:19784

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materialy Materiały elektroniczne termiczne utlenianie Si CVD

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

11 lut 2013

Liczba pobrań / odtworzeń:

2927

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/10586

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Skrzynecka Irena, Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Badania zależności składu i struktury chemicznie osadzonych warstw azotku krzemu od parametrów procesu technologicznego

Skrzynecka Irena

1974

Tekst

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Tekst

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Tekst

Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej

Korec Jacek

1985

Tekst

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych

Borkowicz Jerzy

1975

Tekst

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne

Strupiński Włodzimierz

1985

Tekst

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973

Książka/Rozdział

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych

Drzewiecki Paweł

1976

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji