Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu = Masking investigation of silicon thermal oxidation process by chemically deposited Si3N4 films - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu = Masking investigation of silicon thermal oxidation process by chemically deposited Si3N4 films

Download

Title: Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu = Masking investigation of silicon thermal oxidation process by chemically deposited Si3N4 films

Creator:

Skrzynecka Irena

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1975 nr 1(9)

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 36-39 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 39

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:19784

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic - journal - materials thermal oxidation Si CVD Si3N5

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Feb 11, 2013

Number of object content downloads / hits:

2927

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/10586

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Skrzynecka Irena, Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu	Oct 2, 2020

Objects Similar

Badania zależności składu i struktury chemicznie osadzonych warstw azotku krzemu od parametrów procesu technologicznego = Investigation of chemically deposited Si3N4 films composition and structure-depending on technological process parameters

Skrzynecka Irena

1974

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej = The modeling of the CVD epitaxial process

Korec Jacek

1985

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973

Book/Chapter

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information