Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego = Studies of residual stress in Czochralski-grown crystals - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego = Studies of residual stress in Czochralski-grown crystals

Download

Title: Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego = Studies of residual stress in Czochralski-grown crystals

Creator:

Adamkiewicz Grażyna

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Proceedings of ITME 1986 z. 18

Contributor:

Publisher:

Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"

Place of publishing:

Description:

40 s. : il. 24 cm. ; Biboliogr. s. 40

Relation:

Proceedings of ITME

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:31192

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Institute of Electronic Materials Technology

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - material Electronic materials residual stress Cz Si

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jul 19, 2013

Number of object content downloads / hits:

1058

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/17907

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

PRACE ITME
- PRACE ONPMP
- PRACE ITME

Edition name	Date
Adamkiewicz Grażyna, Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego	Oct 2, 2020

Objects Similar

Układ polaryskopu optycznego do bdań naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = Plane polariscope for photoelastic measurement of semiconductors

Adamkiewicz, Grażyna

1985

Text

Symetria odkształceń sieci monokryształów o orientacji <111> otrzymanych metodą Czochralskiego = Symmetry of strain in <111> oriented Czochralski-grown crystals

Adamkiewicz Grażyna

1987

Text

Potencjalne możliwości zastosowań polaryskopu liniowego do badań naprężeń i defektów strukturalnych w materiałach półprzewodnikowych = Potentialities of the plane polariscope for studing of residual stress and crystallographic defects in semiconductors

Adamkiewicz Grażyna

1988

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni = Determination of nitrogen concentration in Czochralski silicon crystals from the far infrared absorption spectra

Możdżonek Małgorzata

2007

Text

Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień = Electron traps in silicon annealed under high pressure

Kamiński Paweł

1996

Text

Rozkład naprężeń wewnętrznych w mikrowarstwowych kompozytach ceramicznych = Effect of residual stresses in layered ceramic microcomposites on crack propagation during fracture

Tomaszewski Henryk

1998

Text

Naprężenia własne termiczne w spajanych elementach ceramiki AIN z miedzią = Thermal residual stresses in joined elements of AIN ceramics to copper

Kaliński Dariusz

2000

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information