Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Download

Title: Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Creator:

Drzewiecki Paweł

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1976 nr 2(14)

Contributor:

Jaskólska Anna ; Czerwińska Anna

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 34-41 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 41

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:20265

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic - journal - materials Si wafer

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Feb 18, 2013

Number of object content downloads / hits:

681

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/10853

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Drzewiecki Paweł, Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych	Oct 2, 2020

Objects Similar

Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR = Measurement of long range surface flatness deviation of Siu wafers by means of HR XRR method

Mazur Krystyna

2008

Text

Badania nad mechanicznym i chemicznym pocienianiem termicznie połączonych płytek krzemowych = The investigation of the mechanical and chemical thinning of silicon bonded wafers

Piątkowski Bronisław

2002

Text

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Dobiech Teresa

1982

Text

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

Jakubicki Wojciech

1973

Text

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič, Andreja V.

1977

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information