Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Download

Title: Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Creator:

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1978 nr 1(21)

Contributor:

Grudzieński Andrzej ; Tomaszewski Jerzy

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 40-43 : il. ; 24 cm.

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:18316

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic - journal - materials reversed epitaxy CVD Si

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Dec 21, 2012

Number of object content downloads / hits:

612

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/11259

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta, Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych	Oct 2, 2020

Objects Similar

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju = Silicon epitaxy. Trends

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1984

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1977

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego = Silicon epitaxial layers for nuclear radiation detectors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1998

Text

Epitaksja krzemu na krzemie porowatym = Silicon epitaxy over porous silicon

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information