Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

$Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures$

Pobierz

Tytuł: Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures

Twórca:

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Prace ITME 2000 z. 54

Wydawca:

Miejsce wydania:

Opis:

76 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 71-72

Czasopismo/Seria/cykl:

Proceedings of ITME

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:36026

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - journal - material Electronic materials

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

21 lis 2013

Liczba pobrań / odtworzeń:

1125

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/18823

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

PRACE ITME
- PRACE ONPMP
- PRACE ITME

Nazwa wydania	Data
Sass Jerzy, Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV. praca doktorska = X-ray diffractiometric analysis of coherence deformation in AIIIBV semiconductor layered structures

Sass Jerzy

1998

Book/Chapter

Analiza możliwości zastosowania wysokorozdzielczej dyfraktomaterii rentgenowskiej do badań parametrów strukturalnych warstw epitaksjalnych i supersieci = The possibility of application of high resolution x-ray diffraction for determination the structural parameters of epilayers and superlattices

Sass Jerzy

1994

Text

Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si = Application of transmission X-ray topography in the non-parallel system of biocrystal spectrometer for homoepitaxial Si layers investigations

Sass Jerzy

1974

Text

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007

Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Book/Chapter

Electronic Materials

2020

Book/Chapter

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014

Book/Chapter

Spis treści 2013 T. 41 nr 4 = Contents 2013 T.41 nr 4

2013

Book/Chapter

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji