Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV. praca doktorska = X-ray diffractiometric analysis of coherence deformation in AIIIBV semiconductor layered structures - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

$Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV. praca doktorska = X-ray diffractiometric analysis of coherence deformation in AIIIBV semiconductor layered structures$

Download

This publication is protected by copyright. Check the terms of use in the publication description.

This publication is protected by copyright. Check the terms of use in the publication description.

Title: Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV. praca doktorska = X-ray diffractiometric analysis of coherence deformation in AIIIBV semiconductor layered structures

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Prace doktorskie

Contributor:

Pajączkowska Anna : Promotor.

Publisher:

Place of publishing:

Description:

92 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 89-92

Type of object:

Relation:

PhD Dissertations

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

PhD Dissertations

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:36747

Source:

ITME, sygn. P/1676 ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Restricted Access

Terms of use:

Copyright-protected material. Access only for persons authorised by the Institute of Electronic Materials Technology.

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials x-ray diffraction epitaxial layer AIIIBV misfitdislocation

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Dec 3, 2013

Number of object content downloads / hits:

26

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/29702

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

ROZPRAWY DOKTORSKIE i HABILITACYJNE

Edition name	Date
Sass Jerzy, Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV. praca doktorska	Oct 2, 2020

Objects Similar

Analiza możliwości zastosowania wysokorozdzielczej dyfraktomaterii rentgenowskiej do badań parametrów strukturalnych warstw epitaksjalnych i supersieci = The possibility of application of high resolution x-ray diffraction for determination the structural parameters of epilayers and superlattices

Sass Jerzy

1994

Text

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures

Sass Jerzy

2000

Text

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Kot Waldemar

1985

Text

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs = X-ray microanalysis application for the investigation of epitaxial layer chemical composition of AIIIBV group triple compounds with the Ga1-x\alx\as as a representative of this group

Kozłowska Halina

1974

Text

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Świderski Jarosław

1976

Text

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Piga Witold

1983

Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si = Application of transmission X-ray topography in the non-parallel system of biocrystal spectrometer for homoepitaxial Si layers investigations

Sass Jerzy

1974

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information