Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si = Application of transmission X-ray topography in the non-parallel system of biocrystal spectrometer for homoepitaxial Si layers investigations - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si = Application of transmission X-ray topography in the non-parallel system of biocrystal spectrometer for homoepitaxial Si layers investigations

Download

Title: Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si = Application of transmission X-ray topography in the non-parallel system of biocrystal spectrometer for homoepitaxial Si layers investigations

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1974 nr 5

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 7-13 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 13

Relation:

Electronic Materials

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:27012

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic- materials Electronic - journal - materials transmission x-ray topography Si homoepitaxial Si layer

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Apr 16, 2013

Number of object content downloads / hits:

580

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/10445

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Sass Jerzy, Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si	Oct 2, 2020

Objects Similar

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures

Sass Jerzy

2000

Text

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Dobiech Teresa

1982

Text

Analiza możliwości zastosowania wysokorozdzielczej dyfraktomaterii rentgenowskiej do badań parametrów strukturalnych warstw epitaksjalnych i supersieci = The possibility of application of high resolution x-ray diffraction for determination the structural parameters of epilayers and superlattices

Sass Jerzy

1994

Text

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

Jakubicki Wojciech

1973

Text

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič, Andreja V.

1977

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information