• Skip to main menu
• Skip to search engine
• Skip to content
• Skip to footer

• Search in all Repository
• Literature and maps
• Archeology
• Mills database
• Natural sciences

Search in Repository

Search field Search

How to search... Advanced search

Advanced search

Close

All fields Search in content Name/Title Geographical location Relation Subject and Keywords

A.D. B.C.

A.D. B.C.

and or

Name/Title Geographical location Relation Subject and Keywords

A.D. B.C.

A.D. B.C.

Remove

Add query element

Object contains the geographical coordinates

How to search...

Search

Search in Literature and maps

Search field Search

How to search... Advanced search

Advanced search

Close

All fields Search in content Title Relation Author/Creator Subject and Keywords Publisher Publishing date Spatial coverage

A.D. B.C.

A.D. B.C.

and or

Title Relation Author/Creator Subject and Keywords Publisher Publishing date Spatial coverage

A.D. B.C.

A.D. B.C.

Remove

Add query element

Object contains the geographical coordinates

How to search...

Search

Search in Archeology

Search field Search

How to search... Advanced search

Advanced search

Close

All fields Search in content Name Localisation Object type Research Manager/ Creator of Collection Chronology Relation Characteristics of the object- raw material Accession number

A.D. B.C.

A.D. B.C.

and or

Name Localisation Object type Research Manager/ Creator of Collection Chronology Relation Characteristics of the object- raw material Accession number

A.D. B.C.

A.D. B.C.

Remove

Add query element

Object contains the geographical coordinates

How to search...

Search

Search in Mills database

Search field Search

How to search... Advanced search

Advanced search

Close

All fields Search in content Unified name Localisation Object type

A.D. B.C.

A.D. B.C.

and or

Unified name Localisation Object type

A.D. B.C.

A.D. B.C.

Remove

Add query element

Object contains the geographical coordinates

How to search...

Search

Search in Natural sciences

Search field Search

How to search... Advanced search

Advanced search

Close

All fields Search in content Herbarium acronym catalogNumber/barcode Supra-generic category Latin name Polish name Localisation Collection date Collector/ Recorded by Type

A.D. B.C.

A.D. B.C.

and or

Herbarium acronym catalogNumber/barcode Supra-generic category Latin name Polish name Localisation Collection date Collector/ Recorded by Type

A.D. B.C.

A.D. B.C.

Remove

Add query element

Nomenclature type

Object contains the geographical coordinates

How to search...

Search

Secured publication

Sending declined. Incorrect text from the image.

Sending declined. reCAPTCHA verification has failed.

This publication is unavailable to your account. If you have more privileged account please try to use it or contact with the institution connected to this digital library.

Type your email^* Type your reason^*

Enter the text above. ^*

Cancel Send

Object

Download bibliography description

• ris
• BibTeX
• EndNote
• Csv

• pl en

Subscribtion state has been changed.

Error while changing subscribtion state.

• Show content

Download

• Description
• Information
• Structure

Title: Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji

Creator:

Pawłowska Marta

Date issued/created:

1990

Resource type:

Tekst

More

Subtitle:

Prace ITME 1990 z. 30

Publisher:

Wydaw. Przem. "WEMA"

Place of publishing:

Warszawa

Description:

54, [2] s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 19

Relation:

Prace ITME

Issue:

30

Start page:

3

End page:

54

Detailed Resource Type:

Artykuł

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:32337

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

pol

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Otwarty

Subject and keywords:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały doskonałość struktury GaAs gęstość dyslokacji

Object collections:

• Digital Repository of Scientific Institutes > Partners' collections > Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > ITME works
• Digital Repository of Scientific Institutes > Literature > Books/Chapters

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Aug 13, 2013

Number of object content downloads / hits:

1160

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/18248

Show description in RDF format:

RDF

Show description in RDFa format:

RDFa

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

• PRACE ITME
  • PRACE ONPMP
  • PRACE ITME
    • Tomasik Edmund, Wpływ dodatku fosforu na niektóre własności fizykochemiczne i lutowwnicze eutektycznego stopu SnPb
    • Sikorski Krzysztof, Mikroanaliza rentgenowska cienkich warstw
    • Hozer Leszek, Tworzywo warystorowe na bazie ZnO - badania mikrostruktury i własnościu elektrycznych
    • Senkara Jacek, Wpływ antymonu na zjawiska powierzchniowe w procesie wytwarzania kompozytu W-CuSb
    • Wierzchowski Wojciech, Odwzorowywanie dyslokacji w krzemowych warstwach epitaksjalnych metodami odbiciowymi rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej
    • Badzian Andrzej, Syntezy wysokociśnieniowe kryształów o strukturze typu diamentu i ich struiktura atomowa w świetle badań rentgenowskich
    • Naumowicz Piotr, Defekty wzrostowe w kryształach granatu gadolinowo-galowego
    • Boniecki Marek, Analiza własności mechanicznych materiałów ceramicznych metodami mechaniki pękania
    • Korec Jacek, Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej
    • Bajor Andrzej, Fotometryczna metoda pomiaru naprężeń w materiałach półprzewodnikowych
    • Taczanowski Andrzej, Helowe wykrywacze nieszczelności. Budowa i zastosowanie
    • Adamkiewicz Grażyna, Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego
    • Pawłowska Marta, Badanie aktywności elektrycznej defektów strukturalnych w monokryształach półprzewodnikowych
    • Abgarowicz Ewa, Diament syntetyczny. Cz. I. Wybrane zagadnienia syntezy diamentu
    • Abgarowicz Ewa, Diament syntetyczny. Cz. II. Metody badania własności i zastosowania
    • Stróż Kazimierz, Precyzja wyników mikroanalizy rentgenowskiej i metody jej podwyższenia
    • Kłokocki Andrzej, Zastosowanie spektrometru z rozbieżną wiązką promieniowania w badaniach widm rentgenowskich
    • Hozer Leszek, Interpretacja procesu degradacji parametrów elektrycznych tworzywa warystorowego na bazie ZnO w warunkach pracy
    • Bajor Andrzej, Zastosowanie metody Muellera do analizy zjawiska dwójłomności wymuszonej mechanicznie w materiałach półprzewodnikowych
    • Pietrzak Katarzyna, Spajalność ceramiki tlenkowej typu Al2O3 z miedzią w zależności od stosowanych technik
    • Strupiński Włodzimierz, Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej
    • Niedbalska Alicja, Wpływ prekursora organicznego na obniżenie ciśnień zarodkowania i wzrostu kryształów diamentu
    • Gąsiorowski Zdzisław, Wytwarzanie rutenianów bizmutu i ołowiu - materiałów elektronicznych
    • Pawłowska Marta, Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji
    • Gładki Andrzej, Nieokreśloność w niektórych metodach ilościowej analizy metalorganicznej
    • Dulska-Wehr Anna, Analiza termodynamiczna utleniania metalui trudnotopliwych i reducji ich tlenków
    • Bugajski Maciej, Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych
    • Jakubowska Małgorzata, Fizykochemia spiekania przewodzącej warstwy miedziowej
    • Boniecki Marek, Rola mikrostruktury i wewnętrznych naprężeń cieplnych w zwiększeniu odporności na pękanie ceramiki na bazie Al2O3
    • Kamiński Paweł, Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV
    • Paduch Józef, Podstawy ilościowej mikroanalizy rentgenowskiej w analitycznej mikroskopii elektronowej
    • Grześ Jarosław, Właściwości użytkowe i mikrostruktura wybranych powłok stopowych Ni-W-Co uzyskanych w procesie nakładania tamponowego
    • Kociszewski Longin, Basic properties and applications of advanced glass optical fibers
    • Petrovskij Vitalij Ja., Ceramika z azotku krzemu
    • Berkowski Marek, Wzrost monokryształów wieloskładnikowych związków tlenkowych metodą Chochralskiego
    • Wierzchowski Wojciech, Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych
    • Bukowski Jacek, Analiza wolframu i tantalu za pomocą spektrografu masowego ze wzbudzeniem iskrowym
    • Cendrowski Sławomir, Metody pomiaru elektryzacji statycznej folii z tworzyw sztucznych
    • Szymański Dariusz, Metody pomiaru parametrów aplikacyjnych past i warstw grubych. Cz. I
    • Szymański Dariusz, Metody pomiaru parametrów aplikacyjnych past i warstw grubych. Cz. II
    • Wehr Anna, Wpływ miedzi na złącza międzyfazowe srebro-nikiel
    • Bajor Andrzej L., Some problems of optical inhomogeneity testing in crystalline materials by imaging polarimetry
    • Inżynieria Materiałów Elektronicznych. II Seminarium zorganizowane pod patronatem KBN, 16 grudnia 1997 r.
    • Palczewska Maria, Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR
    • Gawlik Grzegorz, Wpływ warunków implantacji i obróbki cieplnej na strukturę stopów żelaza
    • Gałązka Zbigniew, Teoretyczna i doświadczalna analiza naprężeń cieplnych i resztkowych w wybranych kryształach tlenkowych
    • Grabias Agnieszka, Struktura i własności magnetyczne amorficznych i nanokrystalicznych stopów FeZrB(Cu)
    • Kaliński Dariusz, Opracowanie spoiwa kompozytowego do spajania ceramiki korundowej z metalami
    • Nowe Materiały, Technologie, Mikrosystemy, a 5.Ramowy Program Badań, Rozwoju Technicznego i Prezentacji Unii Europejskiej (1998-2002), 8-10 grudnia 1999 r.
    • Wzrost i Charakterystyka Kryształów. Sympozjum Naukowe, 6-7 kwiatnia 2000 r., Katowice, Polska. Materiały
    • Inżynieria Materiałów Elektronicznych. II Seminarium zorganizowane pod patronatem KBN 16 grudnia 1997 roku
    • Sass Jerzy, Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV
    • Sprawozdanie z działalności Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych w roku 1995
    • Cybulski Piotr, Problemy automatyzacji czynności pomiarowych w badaniach i technologiach występujących na terenie CNPME Piotr Cybulski, Tadeusz Żero.
    • Cybulski Piotr, Automatyczny zestaw pomiarowy dla określania oporności właściwej metodą rozpływu oporności
    • Kędra Jerzy, Zestaw zbiorczej cyfrowej rejestracji temperatury CRT-1
    • Kędra Jerzy, Interface typu IDV-4 do współpracy woltomierza V-530 z drukarką VA-G-24A
    • Kędra Jerzy, Uniwersalny segregator do podziału na pięć grup dowolnych wielkości zmienionych na sygnał napięciowy
    • Matusewicz Stefan, Urządzenie adaptujące wyniki pomiaru Halla do rejestratora X - Y
    • Nagłowski Piotr, Matematyczny model filtru z fala powierzchniową
    • Sprawozdanie z działalności Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych w roku 1998
    • Inżynieria Materiałowa - Materiały Elektroniczne. Seminarium organizowane pod patronatem KBN
    • Rak Zbigniew S., Uwarunkowania i możliwości formowania ciśnieniowego ceramiki z zastosowaniem różnych mediów poślizgowo-wiążących
    • Wzrost i Charakteryzacja Kryształów Objętościowych. Sympozjum Poznań, 25.04-26.04.2002
    • Wojtkowski Tadeusz, Termistorowy miernik temperatury
    • Kaczyński Łukasz, Metody korekcyjne ilościowej mikroanalizy rentgenowskiej pierwiastków lekkich
    • Boniecki Marek, Zjawisko nadplastyczności w wybranych ceramikach tlenkowych
    • Olesińska Wiesława, Spajanie ceramiki z metalami

Edition name	Date
Pawłowska Marta, Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji	Oct 2, 2020

Objects Similar

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji

Pawłowska Marta

1988

Tekst

• ris
• BibTeX

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs

Pawłowska Marta

1988

Tekst

• ris
• BibTeX

Układy scalone z arsenku galu

Marciniak Wiesław

1990

Tekst

• ris
• BibTeX

Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości

Rosiński Witold

1990

Tekst

• ris
• BibTeX

Światowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu

Milwidskij M.G

1976

Tekst

• ris
• BibTeX

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET

Kot Waldemar

1990

Tekst

• ris
• BibTeX

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990

Tekst

• ris
• BibTeX

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 1

Nishizawa Jun-ichi

1996

Tekst

• ris
• BibTeX

More

similar in FBC

More in FBC