Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności

Download

Title: Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności

Creator:

Kamiński Paweł

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne T. 42 Nr 4

Contributor:

Kozłowski Roman ; Krupka Jerzy ; Kozubal Michał ; Wodzyński Maciej ; Żelazko Jarosław

Publisher:

Place of publishing:

Description:

Bibliogr. s.: 23-24 ; s.:16-24 il. 30 cm.

Type of object:

Książka/Rozdział

References:

s. 23-24

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

30 cm ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:55813

Source:

click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

głębokie centra defektowe HRPITS krzem o bardzo wysokiej rezystywności

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Aug 13, 2015

Number of object content downloads / hits:

353

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/76482

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kamiński Paweł, Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności	Oct 2, 2020

Objects Similar

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych

Kamiński Paweł

2011

Tekst

Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET

Kamiński Paweł

1993

Tekst

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. Rozprawa doktorska

Kozłowski Roman

2001

Tekst

Wpływ parametrów procedury numerycznej CONTIN na kształt prążków widmowych otrzymywanych w wyniku analizy temperaturowych zmian relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

Żelazko Jarosław

2015

Tekst

Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu

Kozłowski Roman

2010

Tekst

Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot

Kamiński Paweł

2015

Tekst

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1985

Tekst

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te

Kamiński Paweł

1986

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information