Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4
Dobrzański Lech ; Kozłowski Roman
9-27 s. : il. ; Bibliogr. s. 25-27
ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
2 paź 2020
20 wrz 2012
338
https://rcin.org.pl./publication/14330
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Kamiński Paweł, Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET | 2 paź 2020 |
Hruban Andrzej
Milwidskij M.G
Pawłowska Marta