Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów

Download

Title: Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 3(51)/1985

Contributor:

Lichowski Maciej ; Strzelecka Stanisława

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 47-59 : il. ; Bibliogr. s. 56

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:9486

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne S kompensacja koncentracja elektronów

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Aug 6, 2012

Number of object content downloads / hits:

475

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/12417

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kot Waldemar, Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów	Oct 2, 2020

Objects Similar

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Kot Waldemar

1985

Tekst

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET

Kot Waldemar

1990

Tekst

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs

Kot Waldemar

1977

Tekst

Otrzymywanie monokryształów CdS i ZnS z substancji stopionych pod ciśnieniem oraz niektóre własności monokrystalicznych roztworów stałych CdS-ZnS

Demianiuk Mieczysław

1977

Tekst

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu

Strzelecka Stanisława

1996

Tekst

Informacja o metodzie analizy izotopowej węgla i siarki

Hałas Stanisław

1973

Tekst

Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni

Możdżonek Małgorzata

2007

Tekst

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych

Drzewiecki Paweł

1976

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information