Informacja o metodzie analizy izotopowej węgla i siarki = Information about o method of iron and sulphur isotopic analysis - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Informacja o metodzie analizy izotopowej węgla i siarki = Information about o method of iron and sulphur isotopic analysis

Download

Title: Informacja o metodzie analizy izotopowej węgla i siarki = Information about o method of iron and sulphur isotopic analysis

Creator:

Hałas Stanisław

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1973 nr 4

Contributor:

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 52-57 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 57

Relation:

Electronic Materials

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:19074

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - material Electronic- materials isotopic analysis S C

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jan 25, 2013

Number of object content downloads / hits:

1576

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/10441

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Hałas Stanisław, Informacja o metodzie analizy izotopowej węgla i siarki	Oct 2, 2020

Objects Similar

Otrzymywanie monokryształów CdS i ZnS z substancji stopionych pod ciśnieniem oraz niektóre własności monokrystalicznych roztworów stałych CdS-ZnS = Growth of single crystals of CdS and ZnS from the substances fused under pressure and some properties of single crystals solid solution CdS-ZnS

Demianiuk Mieczysław

1977

Text

Radiation-induced defects formation in Bi-containing vitreous chalcogenides = Defekty poradiacyjne w bizmutowych chalkogenidach szklistych

Shpotyuk Oleg

1997

Text

Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów = Compensation ratio determination for Si:P based on electron concentration temperature dependence

Kot Waldemar

1985

Text

Zastosowanie warstw MoMn-FeSi do obudów ceramiczno-metalowych = MoMn-FeSi layers application for ceramics-metal envelopes

Włosiński Władysław

1973

Text

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi = Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray technoques

Sakowska Halina

2012

Text

SiC die-substrate connections for high temperature applications = Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych

Szczepański Zbigniew

2009

Text

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pawłowski Mariusz

2008

Text

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method

Tymicki Emil

2012

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information