Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Pobierz

Tytuł: Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Twórca:

Palczewska Maria

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Prace ITME 1995 z. 45

Wydawca:

Miejsce wydania:

Opis:

54 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s.50-53

Czasopismo/Seria/cykl:

Proceedings of ITME

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:33505

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - journal - material Electronic materials ESR paramagnetic defect AIIIBV

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

18 wrz 2013

Liczba pobrań / odtworzeń:

810

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/18750

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

PRACE ITME
- PRACE ONPMP
- PRACE ITME

Nazwa wydania	Data
Palczewska Maria, Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5. Praca doktorska

Palczewska Maria

1993

Tekst

Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4)

Jabłoński Ryszard

1997

Tekst

Udział pracowników ITME w konferencjach 1991 nr 4(76)

1991

Tekst

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIbV

Świderski Jarosław

1976

Tekst

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni

Piga Witold

1983

Tekst

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typuA3IIB2V

Żdanowicz Witold

1976

Tekst

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

Pawłowski Mariusz

2008

Tekst

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV

Pawłowska Joanna

2008

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji