• Przejdź do menu głównego
• Przejdź do wyszukiwarki
• Przejdź do treści
• Przejdź do stopki

• Wyszukaj w całym Repozytorium
• Piśmiennictwo i mapy
• Archeologia
• Baza Młynów
• Nauki przyrodnicze

Szukaj w Repozytorium

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Czasopismo/Seria/cykl Temat i słowa kluczowe

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Czasopismo/Seria/cykl Temat i słowa kluczowe

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Piśmiennictwo i mapy

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Tytuł Czasopismo/Seria/cykl Autor/Twórca Temat i słowa kluczowe Wydawca Data wydania/powstania Zakres przestrzenny

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Tytuł Czasopismo/Seria/cykl Autor/Twórca Temat i słowa kluczowe Wydawca Data wydania/powstania Zakres przestrzenny

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Archeologia

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa Lokalizacja Rodzaj obiektu Kierownik badań/ Twórca kolekcji Chronologia Czasopismo/Seria/cykl Charakterystyka obiektu- surowiec Numer inwentarzowy

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa Lokalizacja Rodzaj obiektu Kierownik badań/ Twórca kolekcji Chronologia Czasopismo/Seria/cykl Charakterystyka obiektu- surowiec Numer inwentarzowy

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Baza Młynów

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa ujednolicona Lokalizacja Rodzaj obiektu

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa ujednolicona Lokalizacja Rodzaj obiektu

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Nauki przyrodnicze

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Akronim zielnika Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Nazwa polska Lokalizacja Data zebrania Zbieracz/ Obserwator Typ (nomenklaturowy)

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Akronim zielnika Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Nazwa polska Lokalizacja Data zebrania Zbieracz/ Obserwator Typ (nomenklaturowy)

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Typ nomenklaturowy

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Poproś o dostęp

Odmowa wysyłania. Niepoprawny tekst z obrazka.

Odmowa wysyłania. Weryfikacja reCAPTCHA nie powiodła się.

Nie masz uprawnień do wyświetlenia tego obiektu. Aby poprosić o dostęp do niego, wypełnij poniższe pola.

E-mail^* Uzasadnienie^*

Wpisz tekst z obrazka. ^*

Anuluj Wyślij

Obiekt

Pobierz opis bibliograficzny

• ris
• BibTeX
• EndNote
• Csv

• pl en

Zaktualizowano subskrypcję.

Błąd podczas zmiany subskrypcji.

• Pokaż treść

Pobierz

• Opis
• Informacje
• Struktura

Tytuł: Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottky'ego = The investigation of defect centor by measuring of thermal or optical stimulated currents and capacitance of p-n junctions and Schottky barriers

Twórca:

Kamiński Paweł

Data wydania/powstania:

1978

Typ zasobu:

Text

Więcej

Inny tytuł:

Proceedings of ONPMP 1978 z. 3

Współtwórca:

Pietras Edward

Wydawca:

Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"

Miejsce wydania:

Warszawa

Opis:

43 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 37-39

Czasopismo/Seria/cykl:

Proceedings of ONPMP

Zeszyt:

3

Strona pocz.:

3

Strona końc.:

43

Szczegółowy typ zasobu:

Article

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:29367

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Open

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - journal - material Electronic materials barrier Schottky semiconductor

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

• Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych > Kolekcje Partnerów > Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki > Prace ITME
• Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych > Piśmiennictwo > Książki/Rozdziały

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

13 cze 2013

Liczba pobrań / odtworzeń:

829

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/18296

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie RDFa:

RDFa

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

• PRACE ITME
  • PRACE ONPMP
    • Olesińska Wiesława, Badania nad złączami metal-szafir i szafir-lukalox
    • Nowacki Janusz, Materiały z tworzyw sztucznych do elementów optoelektronicznych
    • Jeske Witold, Monokryształy krzemu - ich własności oraz metody i urządzenia do ich wytwarzania
    • Patryas Z., Analiza platyny i rodu za pomocą spektrometru masowego
    • Wiraszka Marek, Wpływ wybranych zanieczyszczeń metalicznych na niektóre parametry elektryczne i perfekcję strukturalną krzemowych warstw epitaksjalnych
    • Pietras Edward, Niektóre problemy związane z jakością materiału wyjściowego w technologii krzemowych przyrządów półprzewodnikowych
    • Lejbrandt Marek, Spiekane podkładki kompensacyjne WNiCu do tyrystorów małej mocy
    • Nossarzewska-Orłowska Elżbieta, Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu
    • Lejbrandt Marek, Spiekanie aktywowane molibdenu
    • Małecki Jerzy, Badanie kinetyki odwęglania stopu FeNi29Co17 /kowar/ w środowisku gazowym H2 + H2O. Cz. I.: Badania nad szybkością dyfuzji węgla w stopie FeNi29Co17
    • Małecki Jerzy, Badanie kinetyki odwęglania stopu FeNi29Co17 /kowar/ w środowisku gazowym H2 + H2O. Cz. II.: Badania wpływu różnych punktów rosy środowiska gazowego H2 + H2O na przebieg procesu odwęglania stopu FeNi29Co17
    • Włosiński Władysław, Zjawiska dyfuzyjne w granicznych warstwach połączeń ceramika-metal w aspekcie potymalizacji technologii
    • Wolnik Irena, Chromatograficzne metody analizy mieszanin gazowych H2+5% PH3, H2+10% AsH, H2+0,05% H2Se. Zastosowanie chromatografu z defektorem helowym w analizie gazów do celów półprzewodnikowych
    • Cieślawski Andrzej, Badania właśności mechanicznych materiałów ceramicznych
    • Lasocka Maria, Niektóre zagadnienia tworzenia i stabilności niekrystalicznego stanu stałego na przykładzie układów chalkogenidowych
    • Pietras Edward, Problemy związane z jakością arsenku galu w technologii dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych
    • Adamiec Maria, Procesy zachodzące w toku spiekania tworzyw o składzie stechiometrycznym ZrO2 - TiO2 domieszkowanych tlenkiem cynku
    • Kociszewski Longin, Problemy materiałowe w technologii wytwarzania włókien optycznych do światłowodów
    • Jaworska Hanna, Stosowanie i regeneracja rozpuszczalników w przemyśle elektronicznym
    • Cuber Wanda, Badanie wpływu warunków łączenia ceramiki korundowej z metalem na kinetykę tworzenia się warstwy spinelowej
    • Muszkat Wacław, Własności i zachowanie się warstw niklowych w złączach ceramika-metal
    • Piątkowski Bronisław, Niektóre problemy poprawy parametrów geometrycznych polerowanych płytek krzemowych
    • Czerwińska Anna, Wpływ warunków polerowania na chropowatość powierzchni płytek krzemowych
    • Witkowska Janina, Zastosowanie metody karbaminianowej do oznaczania śladowych ilości arsenu w trójchlorku fosforu, tlenochlorku fosforu i trójtlenku boru do celów półprzewodnikowych
    • Kamiński Paweł, Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottky'ego
    • Boniecki Marek, Wpływ niektórych czynników technologicznych na przyczepność warstw metalicznych
    • Korec Jacek, Krzemowe warstwy homoepitaksjalne
    • Pietras Edward, Warunki generacji promieniowania w cynkowych warstwach dyfuzyjnych z arsenku galu
  • PRACE ITME

Nazwa wydania	Data
Kamiński Paweł, Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottky'ego	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well

Kamiński Paweł

2007

Text

• ris
• BibTeX

Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET = Deep defect centres in active layer of MESFETs

Kamiński Paweł

1993

Text

• ris
• BibTeX

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

• ris
• BibTeX

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991

Text

• ris
• BibTeX

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Text

• ris
• BibTeX

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

• ris
• BibTeX

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

• ris
• BibTeX

Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień = Electron traps in silicon annealed under high pressure

Kamiński Paweł

1996

Text

• ris
• BibTeX

Więcej

podobne w FBC

Więcej w FBC