• Przejdź do menu głównego
• Przejdź do wyszukiwarki
• Przejdź do treści
• Przejdź do stopki

• Wyszukaj w całym Repozytorium
• Piśmiennictwo i mapy
• Archeologia
• Baza Młynów
• Nauki przyrodnicze

Szukaj w Repozytorium

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Czasopismo/Seria/cykl Temat i słowa kluczowe

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Czasopismo/Seria/cykl Temat i słowa kluczowe

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Piśmiennictwo i mapy

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Tytuł Czasopismo/Seria/cykl Autor/Twórca Temat i słowa kluczowe Wydawca Data wydania Zakres przestrzenny

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Tytuł Czasopismo/Seria/cykl Autor/Twórca Temat i słowa kluczowe Wydawca Data wydania Zakres przestrzenny

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Archeologia

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa Lokalizacja Rodzaj obiektu Kierownik badań/ Twórca kolekcji Chronologia Czasopismo/Seria/cykl Charakterystyka obiektu- surowiec Numer inwentarzowy

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa Lokalizacja Rodzaj obiektu Kierownik badań/ Twórca kolekcji Chronologia Czasopismo/Seria/cykl Charakterystyka obiektu- surowiec Numer inwentarzowy

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Baza Młynów

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa ujednolicona Lokalizacja Rodzaj obiektu

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa ujednolicona Lokalizacja Rodzaj obiektu

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Nauki przyrodnicze

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Akronim zielnika Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Nazwa polska Lokalizacja Data zebrania Zbieracz/ Obserwator Typ (nomenklaturowy)

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Akronim zielnika Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Nazwa polska Lokalizacja Data zebrania Zbieracz/ Obserwator Typ (nomenklaturowy)

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Typ nomenklaturowy

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Poproś o dostęp

Odmowa wysyłania. Niepoprawny tekst z obrazka.

Odmowa wysyłania. Weryfikacja reCAPTCHA nie powiodła się.

Nie masz uprawnień do wyświetlenia tego obiektu. Aby poprosić o dostęp do niego, wypełnij poniższe pola.

E-mail^* Uzasadnienie^*

Wpisz tekst z obrazka. ^*

Anuluj Wyślij

Obiekt

Pobierz opis bibliograficzny

• ris
• BibTeX
• EndNote
• Csv

• pl en

Zaktualizowano subskrypcję.

Błąd podczas zmiany subskrypcji.

• Pokaż treść

Pobierz

• Opis
• Informacje
• Struktura

Tytuł: Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych

Twórca:

Bugajski Maciej

Data wydania/powstania:

1990

Typ zasobu:

Tekst

Więcej

Inny tytuł:

Prace ITME 1990 z. 33

Wydawca:

Wydaw. Przem. "WEMA"

Miejsce wydania:

Warszawa

Opis:

43 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 40-42

Czasopismo/Seria/cykl:

Prace ITME

Zeszyt:

33

Strona pocz.:

3

Strona końc.:

43

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:32406

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały struktura półprzewodnikowa heterostruktura kwantowy efekt rozmiarowy

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

• Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych > Kolekcje Partnerów > Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki > Prace ITME
• Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych > Piśmiennictwo > Książki/Rozdziały

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

13 sie 2013

Liczba pobrań / odtworzeń:

4208

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/18259

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie RDFa:

RDFa

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

• PRACE ITME
  • PRACE ONPMP
  • PRACE ITME
    • Tomasik Edmund, Wpływ dodatku fosforu na niektóre własności fizykochemiczne i lutowwnicze eutektycznego stopu SnPb
    • Sikorski Krzysztof, Mikroanaliza rentgenowska cienkich warstw
    • Hozer Leszek, Tworzywo warystorowe na bazie ZnO - badania mikrostruktury i własnościu elektrycznych
    • Senkara Jacek, Wpływ antymonu na zjawiska powierzchniowe w procesie wytwarzania kompozytu W-CuSb
    • Wierzchowski Wojciech, Odwzorowywanie dyslokacji w krzemowych warstwach epitaksjalnych metodami odbiciowymi rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej
    • Badzian Andrzej, Syntezy wysokociśnieniowe kryształów o strukturze typu diamentu i ich struiktura atomowa w świetle badań rentgenowskich
    • Naumowicz Piotr, Defekty wzrostowe w kryształach granatu gadolinowo-galowego
    • Boniecki Marek, Analiza własności mechanicznych materiałów ceramicznych metodami mechaniki pękania
    • Korec Jacek, Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej
    • Bajor Andrzej, Fotometryczna metoda pomiaru naprężeń w materiałach półprzewodnikowych
    • Taczanowski Andrzej, Helowe wykrywacze nieszczelności. Budowa i zastosowanie
    • Adamkiewicz Grażyna, Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego
    • Pawłowska Marta, Badanie aktywności elektrycznej defektów strukturalnych w monokryształach półprzewodnikowych
    • Abgarowicz Ewa, Diament syntetyczny. Cz. I. Wybrane zagadnienia syntezy diamentu
    • Abgarowicz Ewa, Diament syntetyczny. Cz. II. Metody badania własności i zastosowania
    • Stróż Kazimierz, Precyzja wyników mikroanalizy rentgenowskiej i metody jej podwyższenia
    • Kłokocki Andrzej, Zastosowanie spektrometru z rozbieżną wiązką promieniowania w badaniach widm rentgenowskich
    • Hozer Leszek, Interpretacja procesu degradacji parametrów elektrycznych tworzywa warystorowego na bazie ZnO w warunkach pracy
    • Bajor Andrzej, Zastosowanie metody Muellera do analizy zjawiska dwójłomności wymuszonej mechanicznie w materiałach półprzewodnikowych
    • Pietrzak Katarzyna, Spajalność ceramiki tlenkowej typu Al2O3 z miedzią w zależności od stosowanych technik
    • Strupiński Włodzimierz, Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej
    • Niedbalska Alicja, Wpływ prekursora organicznego na obniżenie ciśnień zarodkowania i wzrostu kryształów diamentu
    • Gąsiorowski Zdzisław, Wytwarzanie rutenianów bizmutu i ołowiu - materiałów elektronicznych
    • Pawłowska Marta, Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji
    • Gładki Andrzej, Nieokreśloność w niektórych metodach ilościowej analizy metalorganicznej
    • Dulska-Wehr Anna, Analiza termodynamiczna utleniania metalui trudnotopliwych i reducji ich tlenków
    • Bugajski Maciej, Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych
    • Jakubowska Małgorzata, Fizykochemia spiekania przewodzącej warstwy miedziowej
    • Boniecki Marek, Rola mikrostruktury i wewnętrznych naprężeń cieplnych w zwiększeniu odporności na pękanie ceramiki na bazie Al2O3
    • Kamiński Paweł, Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV
    • Paduch Józef, Podstawy ilościowej mikroanalizy rentgenowskiej w analitycznej mikroskopii elektronowej
    • Grześ Jarosław, Właściwości użytkowe i mikrostruktura wybranych powłok stopowych Ni-W-Co uzyskanych w procesie nakładania tamponowego
    • Kociszewski Longin, Basic properties and applications of advanced glass optical fibers
    • Petrovskij Vitalij Ja., Ceramika z azotku krzemu
    • Berkowski Marek, Wzrost monokryształów wieloskładnikowych związków tlenkowych metodą Chochralskiego
    • Wierzchowski Wojciech, Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych
    • Bukowski Jacek, Analiza wolframu i tantalu za pomocą spektrografu masowego ze wzbudzeniem iskrowym
    • Cendrowski Sławomir, Metody pomiaru elektryzacji statycznej folii z tworzyw sztucznych
    • Szymański Dariusz, Metody pomiaru parametrów aplikacyjnych past i warstw grubych. Cz. I
    • Szymański Dariusz, Metody pomiaru parametrów aplikacyjnych past i warstw grubych. Cz. II
    • Wehr Anna, Wpływ miedzi na złącza międzyfazowe srebro-nikiel
    • Bajor Andrzej L., Some problems of optical inhomogeneity testing in crystalline materials by imaging polarimetry
    • Inżynieria Materiałów Elektronicznych. II Seminarium zorganizowane pod patronatem KBN, 16 grudnia 1997 r.
    • Palczewska Maria, Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR
    • Gawlik Grzegorz, Wpływ warunków implantacji i obróbki cieplnej na strukturę stopów żelaza
    • Gałązka Zbigniew, Teoretyczna i doświadczalna analiza naprężeń cieplnych i resztkowych w wybranych kryształach tlenkowych
    • Grabias Agnieszka, Struktura i własności magnetyczne amorficznych i nanokrystalicznych stopów FeZrB(Cu)
    • Kaliński Dariusz, Opracowanie spoiwa kompozytowego do spajania ceramiki korundowej z metalami
    • Nowe Materiały, Technologie, Mikrosystemy, a 5.Ramowy Program Badań, Rozwoju Technicznego i Prezentacji Unii Europejskiej (1998-2002), 8-10 grudnia 1999 r.
    • Wzrost i Charakterystyka Kryształów. Sympozjum Naukowe, 6-7 kwiatnia 2000 r., Katowice, Polska. Materiały
    • Inżynieria Materiałów Elektronicznych. II Seminarium zorganizowane pod patronatem KBN 16 grudnia 1997 roku
    • Sass Jerzy, Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV
    • Sprawozdanie z działalności Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych w roku 1995
    • Cybulski Piotr, Problemy automatyzacji czynności pomiarowych w badaniach i technologiach występujących na terenie CNPME Piotr Cybulski, Tadeusz Żero.
    • Cybulski Piotr, Automatyczny zestaw pomiarowy dla określania oporności właściwej metodą rozpływu oporności
    • Kędra Jerzy, Zestaw zbiorczej cyfrowej rejestracji temperatury CRT-1
    • Kędra Jerzy, Interface typu IDV-4 do współpracy woltomierza V-530 z drukarką VA-G-24A
    • Kędra Jerzy, Uniwersalny segregator do podziału na pięć grup dowolnych wielkości zmienionych na sygnał napięciowy
    • Matusewicz Stefan, Urządzenie adaptujące wyniki pomiaru Halla do rejestratora X - Y
    • Nagłowski Piotr, Matematyczny model filtru z fala powierzchniową
    • Sprawozdanie z działalności Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych w roku 1998
    • Inżynieria Materiałowa - Materiały Elektroniczne. Seminarium organizowane pod patronatem KBN
    • Rak Zbigniew S., Uwarunkowania i możliwości formowania ciśnieniowego ceramiki z zastosowaniem różnych mediów poślizgowo-wiążących
    • Wzrost i Charakteryzacja Kryształów Objętościowych. Sympozjum Poznań, 25.04-26.04.2002
    • Wojtkowski Tadeusz, Termistorowy miernik temperatury
    • Kaczyński Łukasz, Metody korekcyjne ilościowej mikroanalizy rentgenowskiej pierwiastków lekkich
    • Boniecki Marek, Zjawisko nadplastyczności w wybranych ceramikach tlenkowych
    • Olesińska Wiesława, Spajanie ceramiki z metalami

Nazwa wydania	Data
Bugajski Maciej, Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs

Bugajski Maciej Jagoda Andrzej Szymański Leszek

1976

Tekst

• ris
• BibTeX

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990

Tekst

• ris
• BibTeX

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD

Wesołowski Marek

2007

Tekst

• ris
• BibTeX

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych

Lenkiewicz D.

2007

Tekst

• ris
• BibTeX

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP

Kamiński Paweł

2007

Tekst

• ris
• BibTeX

Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Grzegorz Sobczak, Andrzej Maląg.

Dąbrowska Elżbieta

2009

Tekst

• ris
• BibTeX

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)

Jasik Agata

1998

Tekst

• ris
• BibTeX

Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm

Dąbrowska Elżbieta

2012

Tekst

• ris
• BibTeX

Więcej

podobne w FBC

Więcej w FBC