• Skip to main menu
• Skip to search engine
• Skip to content
• Skip to footer

• Search in all Repository
• Literature and maps
• Archeology
• Mills database
• Natural sciences

Search in Repository

Search field Search

How to search... Advanced search

Advanced search

Close

All fields Search in content Name/Title Geographical location Relation Subject and Keywords

A.D. B.C.

A.D. B.C.

and or

Name/Title Geographical location Relation Subject and Keywords

A.D. B.C.

A.D. B.C.

$res['SimpleSearchComponent.RemoveBtn']

Add query element

Object contains the geographical coordinates

How to search...

Search

Search in Literature and maps

Search field Search

How to search... Advanced search

Advanced search

Close

All fields Search in content Title Relation Author/Creator Subject and Keywords Publisher Publishing date Spatial coverage

A.D. B.C.

A.D. B.C.

and or

Title Relation Author/Creator Subject and Keywords Publisher Publishing date Spatial coverage

A.D. B.C.

A.D. B.C.

$res['SimpleSearchComponent.RemoveBtn']

Add query element

Object contains the geographical coordinates

How to search...

Search

Search in Archeology

Search field Search

How to search... Advanced search

Advanced search

Close

All fields Search in content Name Localisation Object type Research Manager/ Creator of Collection Chronology Relation Characteristics of the object- raw material Accession number

A.D. B.C.

A.D. B.C.

and or

Name Localisation Object type Research Manager/ Creator of Collection Chronology Relation Characteristics of the object- raw material Accession number

A.D. B.C.

A.D. B.C.

$res['SimpleSearchComponent.RemoveBtn']

Add query element

Object contains the geographical coordinates

How to search...

Search

Search in Mills database

Search field Search

How to search... Advanced search

Advanced search

Close

All fields Search in content Unified name Localisation Object type

A.D. B.C.

A.D. B.C.

and or

Unified name Localisation Object type

A.D. B.C.

A.D. B.C.

$res['SimpleSearchComponent.RemoveBtn']

Add query element

Object contains the geographical coordinates

How to search...

Search

Search in Natural sciences

Search field Search

How to search... Advanced search

Advanced search

Close

All fields Search in content Herbarium acronym catalogNumber/barcode Supra-generic category Latin name Polish name Localisation Collection date Collector/ Recorded by Type

A.D. B.C.

A.D. B.C.

and or

Herbarium acronym catalogNumber/barcode Supra-generic category Latin name Polish name Localisation Collection date Collector/ Recorded by Type

A.D. B.C.

A.D. B.C.

$res['SimpleSearchComponent.RemoveBtn']

Add query element

Nomenclature type

Object contains the geographical coordinates

How to search...

Search

Secured publication

Sending declined. Incorrect text from the image.

Sending declined. reCAPTCHA verification has failed.

This publication is unavailable to your account. If you have more privileged account please try to use it or contact with the institution connected to this digital library.

Type your email^* Type your reason^*

Enter the text above. ^*

Cancel Send

Object

Download bibliography description

• ris
• BibTeX
• EndNote
• Csv

• pl en

Subscribtion state has been changed.

Error while changing subscribtion state.

• Show content

Download

• Description
• Information
• Structure

Title: Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Creator:

Kot Waldemar

Date issued/created:

1985

Resource type:

Text

More

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)

Contributor:

Lichowski Maciej

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Warszawa

Description:

s. 27-33 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 33

Relation:

Electronic Materials

Volume:

51

Issue:

3

Start page:

27

End page:

33

Detailed Resource Type:

Article

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:9483

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

pol

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Open

Subject and keywords:

Electronic - journal - material Electronic materials epitaxial layers AIIIBV carrier concentration

Object collections:

• Digital Repository of Scientific Institutes > Partners' collections > Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Electronic Materials
• Digital Repository of Scientific Institutes > Literature > Books/Chapters

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Aug 6, 2012

Number of object content downloads / hits:

788

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/12414

Show description in RDF format:

RDF

Show description in RDFa format:

RDFa

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

• MATERIAŁY ELEKTRONICZNE
  • Materiały Elektroniczne 1973
  • Materiały Elektroniczne 1974
  • Materiały Elektroniczne 1975
  • Materiały Elektroniczne 1976
  • Materiały Elektroniczne 1977
  • Materiały Elektroniczne 1978
  • Materiały Elektroniczne 1979
  • Materiały Elektroniczne 1980
  • Materiały Elektroniczne 1981
  • Materiały Elektroniczne 1982
  • Materiały Elektroniczne 1983
  • Materiały Elektroniczne 1984
  • Materiały Elektroniczne 1985
    • Materiały Elektroniczne 1985 nr 1(49)
    • Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
    • Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
      • Spis treści 1985 nr 3(51)
      • Chylińska Maria, Sposób wyznaczania rezystywności materiałów stykowych na próbkach w kształcie krążków
      • Adamkiewicz Grażyna, Układ polaryskopu optycznego do bdań naprężeń w materiałach półprzewodnikowych
      • Kot Waldemar, Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia
      • Nowysz Karol, Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor
      • Kot Waldemar, Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów
    • Materiały Elektroniczne 1985 nr 4(52)
  • Materiały Elektroniczne 1986
  • Materiały Elektroniczne 1987
  • Materiały Elektroniczne 1988
  • Materiały Elektroniczne 1989
  • Materiały Elektroniczne 1990
  • Materiały Elektroniczne 1991
  • Materiały Elektroniczne 1992
  • Materiały Elektroniczne 1993
  • Materiały Elektroniczne 1994
  • Materiały Elektroniczne 1995
  • Materiały Elektroniczne 1996
  • Materiały Elektroniczne 1997
  • Materiały Elektroniczne 1998
  • Materiały Elektroniczne 1999
  • Materiały Elektroniczne 2000
  • Materiały Elektroniczne 2001
  • Materiały Elektroniczne 2002
  • Materiały Elektroniczne 2003
  • Materiały Elektroniczne 2004
  • Materiały Elektroniczne 2005
  • Materiały Elektroniczne 2006
  • Materiały Elektroniczne 2007
  • Materiały Elektroniczne 2008
  • Materiały Elektroniczne 2009
  • Materiały Elektroniczne 2010
  • Materiały Elektroniczne 2011
  • Materiały Elektroniczne 2012
  • Materiały Elektroniczne 2013
  • Materiały Elektroniczne 2014
  • Materiały Elektroniczne 2015
  • Materiały Elektroniczne 2016
  • Materiały Elektroniczne 2017
  • Materiały Elektroniczne 2018
  • Materiały Elektroniczne 2019
  • Materiały Elektroniczne 2020

Edition name	Date
Kot Waldemar, Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia	Oct 2, 2020

Objects Similar

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates

Kot Waldemar

1977

Text

• ris
• BibTeX

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET = GaAs diagnostics for MESFET's

Kot Waldemar

1990

Text

• ris
• BibTeX

Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów = Compensation ratio determination for Si:P based on electron concentration temperature dependence

Kot Waldemar

1985

Text

• ris
• BibTeX

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs = X-ray microanalysis application for the investigation of epitaxial layer chemical composition of AIIIBV group triple compounds with the Ga1-x\alx\as as a representative of this group

Kozłowska Halina

1974

Text

• ris
• BibTeX

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Świderski Jarosław

1976

Text

• ris
• BibTeX

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Piga Witold

1983

Text

• ris
• BibTeX

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

• ris
• BibTeX

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

Pawłowska Joanna

2008

Text

• ris
• BibTeX

More

similar in FBC

More in FBC