Tytuł:

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)

Twórca:

Kot Waldemar

Współtwórca:

Lichowski Maciej

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1985

Opis:

s. 27-33 : il. ; Bibliogr. s. 33

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały ; Materiały elektroniczne ; warstwa epitaksjalna ; AIIIBV ; koncentracja nośników większościowych

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

51

Zeszyt:

3

Strona pocz.:

27

Strona końc.:

33

Typ zasobu:

Tekst

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty