Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Download

Title: Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)

Contributor:

Lichowski Maciej

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 27-33 : il. ; Bibliogr. s. 33

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:9483

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne warstwa epitaksjalna AIIIBV koncentracja nośników większościowych

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Aug 6, 2012

Number of object content downloads / hits:

788

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/12414

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kot Waldemar, Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia	Oct 2, 2020

Objects Similar

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs

Kot Waldemar

1977

Tekst

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET

Kot Waldemar

1990

Tekst

Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów

Kot Waldemar

1985

Tekst

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs

Kozłowska Halina

1974

Tekst

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIbV

Świderski Jarosław

1976

Tekst

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni

Piga Witold

1983

Tekst

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typuA3IIB2V

Żdanowicz Witold

1976

Tekst

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV

Pawłowska Joanna

2008

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information