Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si

Download

Title: Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1974 nr 5

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 7-13 : il. ; Bibliogr. s. 13

Relation:

Materiały Elektroniczne

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:27012

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

transmisyjna topografia rentgenowska Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały Si warstwa homoepitaksjalna

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Apr 16, 2013

Number of object content downloads / hits:

583

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/10445

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Sass Jerzy, Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si	Oct 2, 2020

Objects Similar

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV

Sass Jerzy

2000

Tekst

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych

Drzewiecki Paweł

1976

Tekst

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu

Dobiech Teresa

1982

Tekst

Analiza możliwości zastosowania wysokorozdzielczej dyfraktomaterii rentgenowskiej do badań parametrów strukturalnych warstw epitaksjalnych i supersieci

Sass Jerzy

1994

Tekst

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny

Jakubicki Wojciech

1973

Tekst

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič Andreja V.

1977

Tekst

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach

Grzejszczyk Wanda

1990

Tekst

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information