Wyszukiwanie zaawansowane
Wyszukiwanie zaawansowane
Wyszukiwanie zaawansowane
Wyszukiwanie zaawansowane
Wyszukiwanie zaawansowane
Otrzymywanie polarnego półprzewodnika BiTeI, wykazującego silną asymetrię inwersji
Bibliogr.: s.23 ; 12-23 il., 30 cm.
krystalizacja metodą VB
krystalizacja metodą CVT
Licencja Creative Commons Uznanie autorstwa 4.0
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Działalność upowszechniająca naukę (DUN) ; Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego
2 paź 2020
16 kwi 2019
276
https://rcin.org.pl./publication/91700
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Materna Andrzej, Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion | 2 paź 2020 |
Materna Andrzej
Hruban Andrzej