Otrzymywanie polarnego półprzewodnika BiTeI, wykazującego silną asymetrię inwersji
Bibliogr.: s.23 ; 12-23 il., 30 cm.
krystalizacja metodą VB
krystalizacja metodą CVT
Materiały Elektroniczne - Electronic Materials
Creative Commons Attribution BY 4.0 license
Institute of Electronic Materials Technology
Library of the Electronic Materials Technology Institute
Activities popularizing science (DUN) ; Ministry of Science and Higher Education
Oct 2, 2020
Apr 16, 2019
268
https://rcin.org.pl./publication/91700
Edition name | Date |
---|---|
Materna Andrzej, Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion | Oct 2, 2020 |
Materna Andrzej