Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

Download

Title: Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

Creator:

Kozłowski Roman

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 1

Contributor:

Kamiński Paweł ; Żelazko Jarosław

Publisher:

Place of publishing:

Description:

19-33 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 33

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:15514

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały HRPITS radiacyjne centrum defektowe sianokosy procedura Laplace'a

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Oct 17, 2012

Number of object content downloads / hits:

255

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/32075

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kozłowski Roman, Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu	Oct 2, 2020

Objects Similar

Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu

Kozłowski Roman

2010

Tekst

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. Rozprawa doktorska

Kozłowski Roman

2001

Tekst

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych

Kamiński Paweł

2011

Tekst

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV

Kozłowski Roman

1998

Tekst

Wyznaczanie czasu życia nośników ładunku i poziomów rekombinacyjnych w materiałach wysokorezystywnych poprzez pomiar temperaturowej zależności fotoprądu

Kozłowski Roman

2000

Tekst

Wpływ parametrów procedury numerycznej CONTIN na kształt prążków widmowych otrzymywanych w wyniku analizy temperaturowych zmian relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

Żelazko Jarosław

2015

Tekst

Defekty radiacyjne w kryształach Nd:YAG i ich wpływ na właściwości optyczne i charakterystyki generacyjne lasera

Kaczmarek Sławomir Maksymilian

1998

Tekst

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Książka/Rozdział

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information