Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

Pobierz

Tytuł: Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

Twórca:

Kozłowski Roman

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 1

Współtwórca:

Kamiński Paweł ; Żelazko Jarosław

Wydawca:

Miejsce wydania:

Opis:

19-33 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 33

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:15514

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały HRPITS radiacyjne centrum defektowe sianokosy procedura Laplace'a

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

17 paź 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

238

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/32075

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Kozłowski Roman, Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu

Kozłowski Roman

2010

Tekst

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. Rozprawa doktorska

Kozłowski Roman

2001

Tekst

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych

Kamiński Paweł

2011

Tekst

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV

Kozłowski Roman

1998

Tekst

Wyznaczanie czasu życia nośników ładunku i poziomów rekombinacyjnych w materiałach wysokorezystywnych poprzez pomiar temperaturowej zależności fotoprądu

Kozłowski Roman

2000

Tekst

Wpływ parametrów procedury numerycznej CONTIN na kształt prążków widmowych otrzymywanych w wyniku analizy temperaturowych zmian relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

Żelazko Jarosław

2015

Tekst

Defekty radiacyjne w kryształach Nd:YAG i ich wpływ na właściwości optyczne i charakterystyki generacyjne lasera

Kaczmarek Sławomir Maksymilian

1998

Tekst

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Książka/Rozdział

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji