Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Download

Title: Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Creator:

Kamiński Paweł

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 3/4

Publisher:

Place of publishing:

Description:

26-34 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 33-34

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:27737

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały 4H-SiC DLTS pułapka elektronowa defekt punktowy

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

May 14, 2013

Number of object content downloads / hits:

529

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/16632

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kamiński Paweł, Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons	Oct 2, 2020

Objects Similar

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN

Caban Piotr

2008

Tekst

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2010

Tekst

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Tymicki Emil

2011

Tekst

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP

Kamiński Paweł

2007

Tekst

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV

Kamiński Paweł

1991

Tekst

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Tekst

Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień

Kamiński Paweł

1996

Tekst

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów

Lamperski Jan

1983

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information