Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy

Download

Title: Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4

Publisher:

Place of publishing:

Description:

Bibliogr. s. 15-16 ; 5-16 s. : il. 24 cm.

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:7480

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic - journal - materials LP MOVPE GaN 4H-SiC

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jul 5, 2012

Number of object content downloads / hits:

905

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/16018

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Caban Piotr, Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN	Oct 2, 2020

Objects Similar

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii

Kamiński Paweł

2010

Text

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers

Kozubal Michał

2010

Text

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Tymicki Emil

2011

Text

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Lenkiewicz D.

2007

Text

Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne = MOVPE deposition of III-V compounds. The main technological issues

Dumiszewska Ewa

2003

Text

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Wójcik Marek

2012

Text

Detektory promieniowania ultrafioletowego z GaN i AlGaN = Ultra violet detectors based on GaN and AlGaN

Zynek Jadwiga

2001

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information