Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Download

Title: Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Creator:

Kozubal Michał

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2

Publisher:

Place of publishing:

Description:

3-9 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 9

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:18115

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały warstwy epitaksjalne centra defektowe 4H-SiC

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Dec 14, 2012

Number of object content downloads / hits:

651

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/16605

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kozubal Michał, Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC	Oct 2, 2020

Objects Similar

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Kamiński Paweł

2010

Tekst

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN

Caban Piotr

2008

Tekst

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Tymicki Emil

2011

Tekst

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006

Tekst

Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska

Kozubal Michał

2011

Książka/Rozdział

Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej

Kozubal Michał

2013

Tekst

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1985

Tekst

Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem

Plewa Dariusz

1995

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information