• Przejdź do menu głównego
• Przejdź do wyszukiwarki
• Przejdź do treści
• Przejdź do stopki

• Wyszukaj w całym Repozytorium
• Piśmiennictwo i mapy
• Archeologia
• Baza Młynów
• Nauki przyrodnicze

Szukaj w Repozytorium

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Czasopismo/Seria/cykl Temat i słowa kluczowe

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Czasopismo/Seria/cykl Temat i słowa kluczowe

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Piśmiennictwo i mapy

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Tytuł Czasopismo/Seria/cykl Autor/Twórca Temat i słowa kluczowe Wydawca Data wydania Zakres przestrzenny

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Tytuł Czasopismo/Seria/cykl Autor/Twórca Temat i słowa kluczowe Wydawca Data wydania Zakres przestrzenny

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Archeologia

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa Lokalizacja Rodzaj obiektu Kierownik badań/ Twórca kolekcji Chronologia Czasopismo/Seria/cykl Charakterystyka obiektu- surowiec Numer inwentarzowy

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa Lokalizacja Rodzaj obiektu Kierownik badań/ Twórca kolekcji Chronologia Czasopismo/Seria/cykl Charakterystyka obiektu- surowiec Numer inwentarzowy

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Baza Młynów

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa ujednolicona Lokalizacja Rodzaj obiektu

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa ujednolicona Lokalizacja Rodzaj obiektu

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Nauki przyrodnicze

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Akronim zielnika Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Nazwa polska Lokalizacja Data zebrania Zbieracz/ Obserwator Typ (nomenklaturowy)

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Akronim zielnika Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Nazwa polska Lokalizacja Data zebrania Zbieracz/ Obserwator Typ (nomenklaturowy)

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Typ nomenklaturowy

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Poproś o dostęp

Odmowa wysyłania. Niepoprawny tekst z obrazka.

Odmowa wysyłania. Weryfikacja reCAPTCHA nie powiodła się.

Nie masz uprawnień do wyświetlenia tego obiektu. Aby poprosić o dostęp do niego, wypełnij poniższe pola.

E-mail^* Uzasadnienie^*

Wpisz tekst z obrazka. ^*

Anuluj Wyślij

Obiekt

Pobierz opis bibliograficzny

• ris
• BibTeX
• EndNote
• Csv

• pl en

Zaktualizowano subskrypcję.

Błąd podczas zmiany subskrypcji.

• Pokaż treść

Pobierz

• Opis
• Informacje
• Struktura

Tytuł: Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Twórca:

Lenkiewicz D.

Data wydania/powstania:

2007

Typ zasobu:

Text

Więcej

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 3/4

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Opis:

Bibliogr. s. 17 ; 5-18 s. : il. 24 cm.

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

35

Zeszyt:

3/4

Strona pocz.:

5

Strona końc.:

18

Szczegółowy typ zasobu:

Article

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:6750

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Open

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - journal - materials Electronic- materials heterostructure GaN sapphire

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

• Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych > Kolekcje Partnerów > Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki > Materiały Elektroniczne
• Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych > Piśmiennictwo > Książki/Rozdziały

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

26 cze 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

1346

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/15941

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie RDFa:

RDFa

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

• MATERIAŁY ELEKTRONICZNE
  • Materiały Elektroniczne 1973
  • Materiały Elektroniczne 1974
  • Materiały Elektroniczne 1975
  • Materiały Elektroniczne 1976
  • Materiały Elektroniczne 1977
  • Materiały Elektroniczne 1978
  • Materiały Elektroniczne 1979
  • Materiały Elektroniczne 1980
  • Materiały Elektroniczne 1981
  • Materiały Elektroniczne 1982
  • Materiały Elektroniczne 1983
  • Materiały Elektroniczne 1984
  • Materiały Elektroniczne 1985
  • Materiały Elektroniczne 1986
  • Materiały Elektroniczne 1987
  • Materiały Elektroniczne 1988
  • Materiały Elektroniczne 1989
  • Materiały Elektroniczne 1990
  • Materiały Elektroniczne 1991
  • Materiały Elektroniczne 1992
  • Materiały Elektroniczne 1993
  • Materiały Elektroniczne 1994
  • Materiały Elektroniczne 1995
  • Materiały Elektroniczne 1996
  • Materiały Elektroniczne 1997
  • Materiały Elektroniczne 1998
  • Materiały Elektroniczne 1999
  • Materiały Elektroniczne 2000
  • Materiały Elektroniczne 2001
  • Materiały Elektroniczne 2002
  • Materiały Elektroniczne 2003
  • Materiały Elektroniczne 2004
  • Materiały Elektroniczne 2005
  • Materiały Elektroniczne 2006
  • Materiały Elektroniczne 2007
    • Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 1
    • Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 2
    • Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 3/4
      • Spis treści 2007 T.35 nr 3/4
      • Lenkiewicz D, Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych
      • Wesołowski Marek, Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD
      • Możdżonek Małgorzata, Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni
      • Gröger Barbara, Manganity i kobaltyny strontowo-cerowe jako materiały katodowe ogniw elektrochemicznych
      • Jodzis Sławomir, Dielektryk ceramiczny do elektroplazmowej syntezy ozonu w warunkach wyładowań powierzchniowych
  • Materiały Elektroniczne 2008
  • Materiały Elektroniczne 2009
  • Materiały Elektroniczne 2010
  • Materiały Elektroniczne 2011
  • Materiały Elektroniczne 2012
  • Materiały Elektroniczne 2013
  • Materiały Elektroniczne 2014
  • Materiały Elektroniczne 2015
  • Materiały Elektroniczne 2016
  • Materiały Elektroniczne 2017
  • Materiały Elektroniczne 2018
  • Materiały Elektroniczne 2019
  • Materiały Elektroniczne 2020

Nazwa wydania	Data
Lenkiewicz D, Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Wójcik Marek

2012

Text

• ris
• BibTeX

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

• ris
• BibTeX

Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne = MOVPE deposition of III-V compounds. The main technological issues

Dumiszewska Ewa

2003

Text

• ris
• BibTeX

Detektory promieniowania ultrafioletowego z GaN i AlGaN = Ultra violet detectors based on GaN and AlGaN

Zynek Jadwiga

2001

Text

• ris
• BibTeX

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy

Caban Piotr

2008

Text

• ris
• BibTeX

Ultraviolet-sensitive, visible-blind GaN detectors grown by MOCVD epitaxy

Korona Krzysztof

1997

Book/Chapter

• ris
• BibTeX

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006

Text

• ris
• BibTeX

Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis

Sadura Jolanta

2015

Text

• ris
• BibTeX

Więcej

podobne w FBC

Więcej w FBC