Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu = A dependence of defective structure of lithium tetraborate crystals on growth condictions - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu = A dependence of defective structure of lithium tetraborate crystals on growth condictions

Download

Title: Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu = A dependence of defective structure of lithium tetraborate crystals on growth condictions

Creator:

Kisielewski Jarosław

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 2

Contributor:

Świrkowicz Marek ; Gałązka Zbigniew ; Szyrski Włodzimierz

Publisher:

Place of publishing:

Description:

55-62 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 62

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:17262

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic - materials growth condition defect center LBO

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Nov 20, 2012

Number of object content downloads / hits:

409

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/15238

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kisielewski Jarosław, Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu	Oct 2, 2020

Objects Similar

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów = The measurement circuit for defect centers investigation by the method of the deep levels transient capacitance spectroscopy

Lamperski Jan

1983

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1992 nr 1(77) = ITME employees participationin conferences 1992 nr 1(77)

1992

Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Kozłowski Roman

1998

Text

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Jabłoński Ryszard

1986

Text

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus

Nowysz Karol

1985

Text

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals

Pawłowska Marta

1988

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information