Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu

Download

Title: Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu

Creator:

Kisielewski Jarosław

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 2

Contributor:

Świrkowicz Marek ; Gałązka Zbigniew ; Szyrski Włodzimierz

Publisher:

Place of publishing:

Description:

55-62 s. : il. ; Bibliogr. s. 62

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:17262

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały krystalizacja defekt LBO

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Nov 20, 2012

Number of object content downloads / hits:

409

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/15238

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kisielewski Jarosław, Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu	Oct 2, 2020

Objects Similar

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych

Kamiński Paweł

2011

Tekst

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów

Lamperski Jan

1983

Tekst

Udział pracowników ITME w konferencjach 1992 nr 1(77)

1992

Tekst

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1985

Tekst

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV

Kozłowski Roman

1998

Tekst

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR

Jabłoński Ryszard

1986

Tekst

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor

Nowysz Karol

1985

Tekst

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji

Pawłowska Marta

1988

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information