• Przejdź do menu głównego
• Przejdź do wyszukiwarki
• Przejdź do treści
• Przejdź do stopki

• Wyszukaj w całym Repozytorium
• Piśmiennictwo i mapy
• Archeologia
• Baza Młynów
• Nauki przyrodnicze

Szukaj w Repozytorium

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Relation Subject and Keywords

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Relation Subject and Keywords

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Piśmiennictwo i mapy

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Tytuł Relation Autor/Twórca Subject and Keywords Publisher Data wydania/powstania Spatial coverage

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Tytuł Relation Autor/Twórca Subject and Keywords Publisher Data wydania/powstania Spatial coverage

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Archeologia

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa Lokalizacja Object type Research Manager/ Creator of Collection Chronology Relation Characteristics of the object- raw material Accession number

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa Lokalizacja Object type Research Manager/ Creator of Collection Chronology Relation Characteristics of the object- raw material Accession number

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Baza Młynów

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa ujednolicona Lokalizacja Object type

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa ujednolicona Lokalizacja Object type

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Nauki przyrodnicze

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Herbarium acronym Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Polish name Lokalizacja Collection date Collector/ Recorded by Type

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Herbarium acronym Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Polish name Lokalizacja Collection date Collector/ Recorded by Type

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Typ nomenklaturowy

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Poproś o dostęp

Odmowa wysyłania. Niepoprawny tekst z obrazka.

Odmowa wysyłania. Weryfikacja reCAPTCHA nie powiodła się.

Nie masz uprawnień do wyświetlenia tego obiektu. Aby poprosić o dostęp do niego, wypełnij poniższe pola.

E-mail^* Uzasadnienie^*

Wpisz tekst z obrazka. ^*

Anuluj Wyślij

Obiekt

Pobierz opis bibliograficzny

• ris
• BibTeX
• EndNote
• Csv

• pl en

Zaktualizowano subskrypcję.

Błąd podczas zmiany subskrypcji.

• Pokaż treść

Pobierz

• Opis
• Informacje
• Struktura

Tytuł: Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements

Twórca:

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

Data wydania/powstania:

1992

Typ zasobu:

Tekst

Więcej

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 4

Współtwórca:

Kamiński Paweł ; Sarnecki Jerzy ; Kozłowski Roman

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Opis:

12-18 s. : il.

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

20

Zeszyt:

4

Strona pocz.:

12

Strona końc.:

18

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:11879

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały warstwa epitaksjalna czas życia nośników

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

• Digital Repository of Scientific Institutes > Partners' collections > Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Electronic Materials
• Digital Repository of Scientific Institutes > Literature > Books/Chapters

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

29 sie 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

549

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/14200

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie RDFa:

RDFa

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

• MATERIAŁY ELEKTRONICZNE
  • Materiały Elektroniczne 1973
  • Materiały Elektroniczne 1974
  • Materiały Elektroniczne 1975
  • Materiały Elektroniczne 1976
  • Materiały Elektroniczne 1977
  • Materiały Elektroniczne 1978
  • Materiały Elektroniczne 1979
  • Materiały Elektroniczne 1980
  • Materiały Elektroniczne 1981
  • Materiały Elektroniczne 1982
  • Materiały Elektroniczne 1983
  • Materiały Elektroniczne 1984
  • Materiały Elektroniczne 1985
  • Materiały Elektroniczne 1986
  • Materiały Elektroniczne 1987
  • Materiały Elektroniczne 1988
  • Materiały Elektroniczne 1989
  • Materiały Elektroniczne 1990
  • Materiały Elektroniczne 1991
  • Materiały Elektroniczne 1992
    • Materiały Elektroniczne 1992 nr 1(77)
    • Materiały Elektroniczne 1992 nr 2(78)
    • Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 3
    • Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 4
      • Spis treści 1992 T.20 nr 4
      • Nossarzewska-Orłowska Elżbieta, Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements
      • Dobrzański Lech, MMIC'S on gallium arsenide developed in the Institute of Electronic Materials Technology
      • Strzelecka Stanisława, Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem
      • Kujawa Ewa, Wytrzymałość mechaniczna i temperaturowa kołowo-symetrycznych warstwowych złączy ceramiczno-metalowych
      • Sokołowska Wanda, Opracowanie wzorców używanych przy określeniu czystości materiałów elektronicznych metodami spektroskopowymi
      • Puff Z, Badania nad otrzymywaniem tytanianów metali dwuwartościowych w postaci proszków ceramicznych o wysokiej czystości idyspersji
      • Udział pracowników ITME w konferencjach 1992 T.20 nr 4
  • Materiały Elektroniczne 1993
  • Materiały Elektroniczne 1994
  • Materiały Elektroniczne 1995
  • Materiały Elektroniczne 1996
  • Materiały Elektroniczne 1997
  • Materiały Elektroniczne 1998
  • Materiały Elektroniczne 1999
  • Materiały Elektroniczne 2000
  • Materiały Elektroniczne 2001
  • Materiały Elektroniczne 2002
  • Materiały Elektroniczne 2003
  • Materiały Elektroniczne 2004
  • Materiały Elektroniczne 2005
  • Materiały Elektroniczne 2006
  • Materiały Elektroniczne 2007
  • Materiały Elektroniczne 2008
  • Materiały Elektroniczne 2009
  • Materiały Elektroniczne 2010
  • Materiały Elektroniczne 2011
  • Materiały Elektroniczne 2012
  • Materiały Elektroniczne 2013
  • Materiały Elektroniczne 2014
  • Materiały Elektroniczne 2015
  • Materiały Elektroniczne 2016
  • Materiały Elektroniczne 2017
  • Materiały Elektroniczne 2018
  • Materiały Elektroniczne 2019
  • Materiały Elektroniczne 2020

Nazwa wydania	Data
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta, Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

• ris
• BibTeX

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

• ris
• BibTeX

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987

Text

• ris
• BibTeX

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

• ris
• BibTeX

Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego = Silicon epitaxial layers for nuclear radiation detectors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1998

Text

• ris
• BibTeX

Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties

Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta

1994

Text

• ris
• BibTeX

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

• ris
• BibTeX

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

• ris
• BibTeX

Więcej

podobne w FBC

Więcej w FBC