Tytuł:

Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 4

Twórca:

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

Współtwórca:

Kamiński Paweł ; Sarnecki Jerzy ; Kozłowski Roman

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1992

Opis:

12-18 s. : il.

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne ; Elektronika - czasopismo - materiały ; warstwa epitaksjalna ; czas życia nośników

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

20

Zeszyt:

4

Strona pocz.:

12

Strona końc.:

18

Typ zasobu:

Tekst

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty