Subtitle:

Wyznaczanie grubości warstw BN na podłożu Al2O3 za pomocąspektroskopii FT-IR

Publisher:

Łukasiewicz – ITME

Place of publishing:

Warszawa

Date on-line publ.:

2020

Description:

24 cm.

Type of object:

Książka/Rozdział

Abstract:

Hexagonal boron nitride (h-BN) is an attractive material for applications in electronics. The technology of devices basedon BN requires non-destructive and fast methods of controlling the parameters of the produced layers. Boron nitride layersof different thickness were grown on sapphire substrates (Al2O3) using the MOCVD method. The obtained films werecharacterized by FT-IR spectroscopy using IRR and ATR techniques and by the XRR and SEM methods. We showed thatby analyzing the ATR or reflectance spectrum in the range of 600-2500 cm-1 we can measure the thickness of a BN layeron the Al2O3 substrate. Our measuring method allows measuring the layers with a thickness from ~2 nm to approx. 20 nm.

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

48

Issue:

1-4

Start page:

15

End page:

20

Detailed Resource Type:

Artykuł ; Czasopismo

Format:

application/octet-stream

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:156161

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

eng

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. [CC BY 4.0 Międzynarodowe] Korzystanie dozwolone zgodnie z licencją Creative Commons Uznanie autorstwa 4.0, której pełne postanowienia dostępne są pod adresem:

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Działalność upowszechniająca naukę (DUN) ; Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego

Access:

Otwarty