• Przejdź do menu głównego
• Przejdź do wyszukiwarki
• Przejdź do treści
• Przejdź do stopki

• Wyszukaj w całym Repozytorium
• Piśmiennictwo i mapy
• Archeologia
• Baza Młynów
• Nauki przyrodnicze

Szukaj w Repozytorium

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Relation Subject and Keywords

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Relation Subject and Keywords

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Piśmiennictwo i mapy

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Tytuł Relation Autor/Twórca Subject and Keywords Publisher Data wydania/powstania Spatial coverage

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Tytuł Relation Autor/Twórca Subject and Keywords Publisher Data wydania/powstania Spatial coverage

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Archeologia

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa Lokalizacja Object type Research Manager/ Creator of Collection Chronology Relation Characteristics of the object- raw material Accession number

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa Lokalizacja Object type Research Manager/ Creator of Collection Chronology Relation Characteristics of the object- raw material Accession number

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Baza Młynów

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa ujednolicona Lokalizacja Object type

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa ujednolicona Lokalizacja Object type

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Nauki przyrodnicze

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Herbarium acronym Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Polish name Lokalizacja Collection date Collector/ Recorded by Type

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Herbarium acronym Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Polish name Lokalizacja Collection date Collector/ Recorded by Type

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Typ nomenklaturowy

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Poproś o dostęp

Odmowa wysyłania. Niepoprawny tekst z obrazka.

Odmowa wysyłania. Weryfikacja reCAPTCHA nie powiodła się.

Nie masz uprawnień do wyświetlenia tego obiektu. Aby poprosić o dostęp do niego, wypełnij poniższe pola.

E-mail^* Uzasadnienie^*

Wpisz tekst z obrazka. ^*

Anuluj Wyślij

Obiekt

Pobierz opis bibliograficzny

• ris
• BibTeX
• EndNote
• Csv

• pl en

Zaktualizowano subskrypcję.

Błąd podczas zmiany subskrypcji.

• Pokaż treść

Pobierz

• Opis
• Informacje
• Struktura

Tytuł: Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii

Creator:

Maląg Andrzej

Date issued/created:

2008

Resource type:

Tekst

Więcej

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4

Contributor:

Dąbrowska Elżbieta ; Teodorczyk Marian

Publisher:

ITME

Place of publishing:

Warszawa

Description:

35-60 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 58-59

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

36

Issue:

4

Start page:

35

End page:

60

Detailed Resource Type:

Artykuł

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:7483

Source:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Language:

pol

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Otwarty

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne dioda laserowa dużej mocy heterostruktura rozdzielczość czasowa

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

• Digital Repository of Scientific Institutes > Partners' collections > Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Electronic Materials
• Digital Repository of Scientific Institutes > Literature > Books/Chapters

Data ostatniej modyfikacji:

Oct 2, 2020

Data dodania obiektu:

Jul 5, 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

525

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/16020

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie RDFa:

RDFa

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

• MATERIAŁY ELEKTRONICZNE
  • Materiały Elektroniczne 1973
  • Materiały Elektroniczne 1974
  • Materiały Elektroniczne 1975
  • Materiały Elektroniczne 1976
  • Materiały Elektroniczne 1977
  • Materiały Elektroniczne 1978
  • Materiały Elektroniczne 1979
  • Materiały Elektroniczne 1980
  • Materiały Elektroniczne 1981
  • Materiały Elektroniczne 1982
  • Materiały Elektroniczne 1983
  • Materiały Elektroniczne 1984
  • Materiały Elektroniczne 1985
  • Materiały Elektroniczne 1986
  • Materiały Elektroniczne 1987
  • Materiały Elektroniczne 1988
  • Materiały Elektroniczne 1989
  • Materiały Elektroniczne 1990
  • Materiały Elektroniczne 1991
  • Materiały Elektroniczne 1992
  • Materiały Elektroniczne 1993
  • Materiały Elektroniczne 1994
  • Materiały Elektroniczne 1995
  • Materiały Elektroniczne 1996
  • Materiały Elektroniczne 1997
  • Materiały Elektroniczne 1998
  • Materiały Elektroniczne 1999
  • Materiały Elektroniczne 2000
  • Materiały Elektroniczne 2001
  • Materiały Elektroniczne 2002
  • Materiały Elektroniczne 2003
  • Materiały Elektroniczne 2004
  • Materiały Elektroniczne 2005
  • Materiały Elektroniczne 2006
  • Materiały Elektroniczne 2007
  • Materiały Elektroniczne 2008
    • Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 1
    • Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 2
    • Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 3
    • Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4
      • Spis treści 2008 T.36 nr 4
      • Caban Piotr, Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN
      • Kowalik Andrzej, Dyfrakcyjne elementy optyczne do formowania wiązek światła emitowanych przez diody laserowe
      • Maląg Andrzej, Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii
      • Wójcik Marek, Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
      • Kiełbasiński Konrad, Environmental friendly thick film resistors with wide resistance range
      • Zynek Jadwiga, Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP
      • Swatowska Barbara, Influence of material properties on parameters of silicon solar cells
      • Grzesiak Wojciech, The influence of assembly technology on exploatation parameters of power SSL-LEDs
      • Jurków Dominik, Investigation of LTCC thermistor properties
      • Jurków Dominik, Novel bonding method of low temperature cofired ceramic tapes
      • Prociow Eugeniusz L., Evaluation of electrical properties of Eu and Pd-doped titanium dioxide thin films deposited on silicon
      • Sitek Janusz, 2008, Assembly and solidering problems in Leadfree through hole reflow technique
  • Materiały Elektroniczne 2009
  • Materiały Elektroniczne 2010
  • Materiały Elektroniczne 2011
  • Materiały Elektroniczne 2012
  • Materiały Elektroniczne 2013
  • Materiały Elektroniczne 2014
  • Materiały Elektroniczne 2015
  • Materiały Elektroniczne 2016
  • Materiały Elektroniczne 2017
  • Materiały Elektroniczne 2018
  • Materiały Elektroniczne 2019
  • Materiały Elektroniczne 2020

Nazwa wydania	Data
Maląg Andrzej, Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii	Oct 2, 2020

Obiekty Podobne

Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy = High power laser diodes - design optimisation issues

Maląg Andrzej

2007

Text

• ris
• BibTeX

Możliwości modyfikacji charakterystyk promieniowania laserów półprzewodnikowych przez superpozycję naprężeń w warstwie aktywnej = On the possibility of modification of semiconductor laser emission characteristics by strain superposition in active region

Maląg Andrzej

2002

Text

• ris
• BibTeX

Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes

Maląg Andrzej

2015

Text

• ris
• BibTeX

Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn = Investigation of solder - induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn

Dąbrowska Elżbieta

2009

Text

• ris
• BibTeX

Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm = The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band

Dąbrowska Elżbieta

2012

Text

• ris
• BibTeX

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

• ris
• BibTeX

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007

Text

• ris
• BibTeX

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Lenkiewicz D.

2007

Text

• ris
• BibTeX

Więcej

podobne w FBC

Więcej w FBC