HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions

Download

Title: HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Badanie metodamia wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar

Contributor:

Gaca Jarosław ; Caban Piotr ; Turos Andrzej

Publisher:

Place of publishing:

Description:

References p.: 15-16 ; p.: 9-16, il., 30 cm.

References:

15-16

Relation:

Materiały Elektroniczne - Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

A4 ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:63370

Source:

click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Ministry of Science and Higher Education ; Activities popularizing science (DUN)

Access:

Subject and keywords:

HRXRD ZnO monocrystal Ion implantation Radiation defect analysis

Object collections:

Last modified:

Mar 30, 2021

In our library since:

Oct 18, 2017

Number of object content downloads / hits:

197

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/83021

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Wójcik Marek, HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions	Mar 30, 2021

Objects Similar

Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001] = Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate

Wójcik Marek

2011

Text

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Wójcik Marek

2012

Text

Wpływ profilu interfejsów i zaburzeń grubości warstw w zwierciadłach Bragga na ich własności optyczne = Effects of composition grading at heterointefaces and variations in thickness of layers on Bragg mirror quality

Gaca Jarosław

2013

Book/Chapter

Badanie metodą kanałowania jonów redystrybucji atomów implantowanych w kryształach żelaza. Praca doktorska = Study by ion channeling method the redistribution of implanted atoms in ion crystals

Jagielski Jacek

1990

Text

Impulsowe wygrzewanie implantowanego arsenku galu = Rapid thermal annealing of imolanted galium arsenide

Rosiński Witold

1996

Text

Zastosowanie implantacji jonów do modyfikacji właściwości technicznej warstwy wierzchniej metali

Rosiński Witold

1995

Text

Wpływ warunków implantacji i obróbki cieplnej na strukturę stopów żelaza. Praca doktorska = Influence of the implantation and heat treatment condictions on the structure of ion alloys

Gawlik Grzegorz

1996

Book/Chapter

Analiza rentgenowskiego widma periodycznej supersieci = Analysis of the X-ray intensity spectrum for the periode superlattice

Wójcik Marek

1988

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information