Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

Download

Title: Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2

Contributor:

Orłowski Wacław ; Strzelecka Stanisława ; Piersa, Mirosław. ; Jurkiewicz-Wegner Elżbieta ; Mirowska Aleksandra ; Rojek Anna

Publisher:

Place of publishing:

Description:

s. 18-25 : il. ; 30 cm. ; Bibliogr. s. 25

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:41656

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

SI GaAs arsenek galu metoda Czochralskiego LEC orientacja

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Mar 6, 2014

Number of object content downloads / hits:

591

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/59103

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Hruban Andrzej, Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych	Oct 2, 2020

Objects Similar

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową

Hruban Andrzej

2012

Tekst

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Tekst

Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter

Orłowski Wacław

1995

Tekst

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych

Hruban Andrzej

1990

Tekst

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs

Strzelecka Stanisława

1992

Tekst

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990

Tekst

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu

Strzelecka Stanisława

1996

Tekst

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. Rozprawa doktorska

Kozłowski Roman

2001

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information