Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2
Orłowski Wacław ; Strzelecka Stanisława ; Piersa, Mirosław. ; Jurkiewicz-Wegner Elżbieta ; Mirowska Aleksandra ; Rojek Anna
s. 18-25 : il. ; 30 cm. ; Bibliogr. s. 25
ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
2 paź 2020
6 mar 2014
588
https://rcin.org.pl./publication/59103
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Hruban Andrzej, Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych | 2 paź 2020 |
Hruban Andrzej
Jurisch M.
Hruban Andrzej
Strzelecka Stanisława
Tomaszewski Jacek
Strzelecka Stanisława