Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową

Download

Title: Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 3

Contributor:

Orłowski Wacław ; Mirowska Aleksandra ; Strzelecka Stanisława ; Piersa Mirosław ; Materna Andrzej ; JJurkiewicz-Wegner Elżbieta ; Dalecki Wojciech

Publisher:

Place of publishing:

Description:

s. 38-47 : il. 30 cm

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:27947

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne SI GaAs obróbka termiczna EPD

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

May 21, 2013

Number of object content downloads / hits:

1230

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/46217

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Hruban Andrzej, Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową	Oct 2, 2020

Objects Similar

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych

Hruban Andrzej

1990

Tekst

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990

Tekst

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Tekst

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs

Strzelecka Stanisława

1992

Tekst

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami

Jabłoński Ryszard

1988

Tekst

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs

Wierzchowski Wojciech

1988

Tekst

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs

Pawłowska Marta

1988

Tekst

Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Pawłowski Michał

2006

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information