• Przejdź do menu głównego
• Przejdź do wyszukiwarki
• Przejdź do treści
• Przejdź do stopki

• Wyszukaj w całym Repozytorium
• Piśmiennictwo i mapy
• Archeologia
• Baza Młynów
• Nauki przyrodnicze

Szukaj w Repozytorium

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Czasopismo/Seria/cykl Temat i słowa kluczowe

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Czasopismo/Seria/cykl Temat i słowa kluczowe

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Piśmiennictwo i mapy

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Tytuł Czasopismo/Seria/cykl Autor/Twórca Temat i słowa kluczowe Wydawca Data wydania Zakres przestrzenny

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Tytuł Czasopismo/Seria/cykl Autor/Twórca Temat i słowa kluczowe Wydawca Data wydania Zakres przestrzenny

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Archeologia

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa Lokalizacja Rodzaj obiektu Kierownik badań/ Twórca kolekcji Chronologia Czasopismo/Seria/cykl Charakterystyka obiektu- surowiec Numer inwentarzowy

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa Lokalizacja Rodzaj obiektu Kierownik badań/ Twórca kolekcji Chronologia Czasopismo/Seria/cykl Charakterystyka obiektu- surowiec Numer inwentarzowy

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Baza Młynów

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa ujednolicona Lokalizacja Rodzaj obiektu

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa ujednolicona Lokalizacja Rodzaj obiektu

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Nauki przyrodnicze

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Akronim zielnika Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Nazwa polska Lokalizacja Data zebrania Zbieracz/ Obserwator Typ (nomenklaturowy)

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Akronim zielnika Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Nazwa polska Lokalizacja Data zebrania Zbieracz/ Obserwator Typ (nomenklaturowy)

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Typ nomenklaturowy

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Poproś o dostęp

Odmowa wysyłania. Niepoprawny tekst z obrazka.

Odmowa wysyłania. Weryfikacja reCAPTCHA nie powiodła się.

Nie masz uprawnień do wyświetlenia tego obiektu. Aby poprosić o dostęp do niego, wypełnij poniższe pola.

E-mail^* Uzasadnienie^*

Wpisz tekst z obrazka. ^*

Anuluj Wyślij

Obiekt

Pobierz opis bibliograficzny

• ris
• BibTeX
• EndNote
• Csv

• pl en

Zaktualizowano subskrypcję.

Błąd podczas zmiany subskrypcji.

• Pokaż treść

Pobierz

• Opis
• Informacje
• Struktura

Tytuł: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111>

Twórca:

Orłowski Wacław

Data wydania/powstania:

2010

Typ zasobu:

Tekst

Więcej

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2

Współtwórca:

Mirowska Aleksandra ; Hruban Andrzej ; Strzelecka Stanisława

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Opis:

9-19 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 19

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

38

Zeszyt:

2

Strona pocz.:

9

Strona końc.:

19

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:18116

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne GaD monokrystalizacja metoda LEC

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

• Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych > Kolekcje Partnerów > Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki > Materiały Elektroniczne
• Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych > Piśmiennictwo > Książki/Rozdziały

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

14 gru 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

870

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/16600

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie RDFa:

RDFa

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

• MATERIAŁY ELEKTRONICZNE
  • Materiały Elektroniczne 1973
  • Materiały Elektroniczne 1974
  • Materiały Elektroniczne 1975
  • Materiały Elektroniczne 1976
  • Materiały Elektroniczne 1977
  • Materiały Elektroniczne 1978
  • Materiały Elektroniczne 1979
  • Materiały Elektroniczne 1980
  • Materiały Elektroniczne 1981
  • Materiały Elektroniczne 1982
  • Materiały Elektroniczne 1983
  • Materiały Elektroniczne 1984
  • Materiały Elektroniczne 1985
  • Materiały Elektroniczne 1986
  • Materiały Elektroniczne 1987
  • Materiały Elektroniczne 1988
  • Materiały Elektroniczne 1989
  • Materiały Elektroniczne 1990
  • Materiały Elektroniczne 1991
  • Materiały Elektroniczne 1992
  • Materiały Elektroniczne 1993
  • Materiały Elektroniczne 1994
  • Materiały Elektroniczne 1995
  • Materiały Elektroniczne 1996
  • Materiały Elektroniczne 1997
  • Materiały Elektroniczne 1998
  • Materiały Elektroniczne 1999
  • Materiały Elektroniczne 2000
  • Materiały Elektroniczne 2001
  • Materiały Elektroniczne 2002
  • Materiały Elektroniczne 2003
  • Materiały Elektroniczne 2004
  • Materiały Elektroniczne 2005
  • Materiały Elektroniczne 2006
  • Materiały Elektroniczne 2007
  • Materiały Elektroniczne 2008
  • Materiały Elektroniczne 2009
  • Materiały Elektroniczne 2010
    • Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 1
    • Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
      • Spis treści 2010 T.38 nr 2
      • Kozubal Michał, Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
      • Orłowski Wacław, Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111>
      • Kozłowski Roman, Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu
      • Sidorowicz, Agata, Właściwości fizyczne nanoproszków Al2O3-Ag wytworzonych metodą rozkładu termicznego-redukcji oraz impregnacji nanosrebrem koloidalnym
    • Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 3/4
  • Materiały Elektroniczne 2011
  • Materiały Elektroniczne 2012
  • Materiały Elektroniczne 2013
  • Materiały Elektroniczne 2014
  • Materiały Elektroniczne 2015
  • Materiały Elektroniczne 2016
  • Materiały Elektroniczne 2017
  • Materiały Elektroniczne 2018
  • Materiały Elektroniczne 2019
  • Materiały Elektroniczne 2020

Nazwa wydania	Data
Orłowski Wacław, Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111>	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne

Strupiński Włodzimierz

1985

Tekst

• ris
• BibTeX

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2006

Tekst

• ris
• BibTeX

Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej

Strupiński Włodzimierz

1988

Tekst

• ris
• BibTeX

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Tekst

• ris
• BibTeX

Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2007

Tekst

• ris
• BibTeX

Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowanych kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC

Surma Barbara

2009

Tekst

• ris
• BibTeX

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2009

Tekst

• ris
• BibTeX

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge

Dumiszewska Ewa

2011

Tekst

• ris
• BibTeX

Więcej

podobne w FBC

Więcej w FBC