Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111>

Download

Title: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111>

Creator:

Orłowski Wacław

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2

Contributor:

Mirowska Aleksandra ; Hruban Andrzej ; Strzelecka Stanisława

Publisher:

Place of publishing:

Description:

9-19 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 19

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:18116

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne GaD monokrystalizacja metoda LEC

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Dec 14, 2012

Number of object content downloads / hits:

870

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/16600

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Orłowski Wacław, Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111>	Oct 2, 2020

Objects Similar

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne

Strupiński Włodzimierz

1985

Tekst

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2006

Tekst

Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej

Strupiński Włodzimierz

1988

Tekst

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Tekst

Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2007

Tekst

Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowanych kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC

Surma Barbara

2009

Tekst

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2009

Tekst

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge

Dumiszewska Ewa

2011

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information