Evaluation of electrical properties of Eu and Pd-doped titanium dioxide thin films deposited on silicon - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Evaluation of electrical properties of Eu and Pd-doped titanium dioxide thin films deposited on silicon

Pobierz

Tytuł: Evaluation of electrical properties of Eu and Pd-doped titanium dioxide thin films deposited on silicon

Twórca:

Prociow Eugeniusz L.

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4

Wydawca:

Miejsce wydania:

Opis:

149-156 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 155

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:7584

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materialy własności elektryczne TiO2:(Eu, Pd) heterozłącze

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

10 lip 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

681

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/16198

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Prociow Eugeniusz L., Evaluation of electrical properties of Eu and Pd-doped titanium dioxide thin films deposited on silicon	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Tworzywo warystorowe na bazie ZnO - badania mikrostruktury i własnościu elektrycznych

Hozer Leszek

1983

Tekst

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2009

Tekst

Wpływ CoO i Mn2O3 na własności elektryczne tworzywa warystorowego na bazie ZnO

Hozer Leszek

1985

Tekst

Stałoprądowe właściwości elektryczne izolacji implantowanej w arsenku galu

Synowiec Zdzisław

1998

Tekst

Wytwarzanie rutenianów bizmutu i ołowiu - materiałów elektronicznych

Gąsiorowski Zdzisław

1989

Tekst

Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem

Strzelecka Stanisława

1992

Tekst

Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego

Mirowska Aleksandra

2009

Tekst

Interpretacja procesu degradacji parametrów elektrycznych tworzywa warystorowego na bazie ZnO w warunkach pracy

Hozer Leszek

1988

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji