• Przejdź do menu głównego
• Przejdź do wyszukiwarki
• Przejdź do treści
• Przejdź do stopki

• Wyszukaj w całym Repozytorium
• Piśmiennictwo i mapy
• Archeologia
• Baza Młynów
• Nauki przyrodnicze

Szukaj w Repozytorium

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Czasopismo/Seria/cykl Temat i słowa kluczowe

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa/Tytuł Lokalizacja geograficzna Czasopismo/Seria/cykl Temat i słowa kluczowe

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Piśmiennictwo i mapy

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Tytuł Czasopismo/Seria/cykl Autor/Twórca Temat i słowa kluczowe Wydawca Data wydania Zakres przestrzenny

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Tytuł Czasopismo/Seria/cykl Autor/Twórca Temat i słowa kluczowe Wydawca Data wydania Zakres przestrzenny

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Archeologia

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa Lokalizacja Rodzaj obiektu Kierownik badań/ Twórca kolekcji Chronologia Czasopismo/Seria/cykl Charakterystyka obiektu- surowiec Numer inwentarzowy

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa Lokalizacja Rodzaj obiektu Kierownik badań/ Twórca kolekcji Chronologia Czasopismo/Seria/cykl Charakterystyka obiektu- surowiec Numer inwentarzowy

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Baza Młynów

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Nazwa ujednolicona Lokalizacja Rodzaj obiektu

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Nazwa ujednolicona Lokalizacja Rodzaj obiektu

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Szukaj w Nauki przyrodnicze

Pole wyszukiwania Wyszukaj

Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane

Wyszukiwanie zaawansowane

Zamknij

Wszystkie pola Szukaj w treści Akronim zielnika Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Nazwa polska Lokalizacja Data zebrania Zbieracz/ Obserwator Typ (nomenklaturowy)

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

i lub

Akronim zielnika Numer/kod Kategoria ponadrodzajowa Nazwa łacińska Nazwa polska Lokalizacja Data zebrania Zbieracz/ Obserwator Typ (nomenklaturowy)

n.e. p.n.e.

n.e. p.n.e.

Usuń

Dodaj element zapytania

Typ nomenklaturowy

Obiekt zawiera współrzędne geograficzne

Jak wyszukiwać...

Wyszukaj

Poproś o dostęp

Odmowa wysyłania. Niepoprawny tekst z obrazka.

Odmowa wysyłania. Weryfikacja reCAPTCHA nie powiodła się.

Nie masz uprawnień do wyświetlenia tego obiektu. Aby poprosić o dostęp do niego, wypełnij poniższe pola.

E-mail^* Uzasadnienie^*

Wpisz tekst z obrazka. ^*

Anuluj Wyślij

Obiekt

Pobierz opis bibliograficzny

• ris
• BibTeX
• EndNote
• Csv

• pl en

Zaktualizowano subskrypcję.

Błąd podczas zmiany subskrypcji.

• Pokaż treść

Pobierz

• Opis
• Informacje
• Struktura

Tytuł: Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN

Twórca:

Caban Piotr

Data wydania/powstania:

2008

Typ zasobu:

Tekst

Więcej

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Opis:

5-16 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 15-16

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

36

Zeszyt:

4

Strona pocz.:

5

Strona końc.:

16

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:7480

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne LP MOVPE GaN 4H-SiC

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

• Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych > Kolekcje Partnerów > Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki > Materiały Elektroniczne
• Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych > Piśmiennictwo > Książki/Rozdziały

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

5 lip 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

905

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/16018

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie RDFa:

RDFa

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

• MATERIAŁY ELEKTRONICZNE
  • Materiały Elektroniczne 1973
  • Materiały Elektroniczne 1974
  • Materiały Elektroniczne 1975
  • Materiały Elektroniczne 1976
  • Materiały Elektroniczne 1977
  • Materiały Elektroniczne 1978
  • Materiały Elektroniczne 1979
  • Materiały Elektroniczne 1980
  • Materiały Elektroniczne 1981
  • Materiały Elektroniczne 1982
  • Materiały Elektroniczne 1983
  • Materiały Elektroniczne 1984
  • Materiały Elektroniczne 1985
  • Materiały Elektroniczne 1986
  • Materiały Elektroniczne 1987
  • Materiały Elektroniczne 1988
  • Materiały Elektroniczne 1989
  • Materiały Elektroniczne 1990
  • Materiały Elektroniczne 1991
  • Materiały Elektroniczne 1992
  • Materiały Elektroniczne 1993
  • Materiały Elektroniczne 1994
  • Materiały Elektroniczne 1995
  • Materiały Elektroniczne 1996
  • Materiały Elektroniczne 1997
  • Materiały Elektroniczne 1998
  • Materiały Elektroniczne 1999
  • Materiały Elektroniczne 2000
  • Materiały Elektroniczne 2001
  • Materiały Elektroniczne 2002
  • Materiały Elektroniczne 2003
  • Materiały Elektroniczne 2004
  • Materiały Elektroniczne 2005
  • Materiały Elektroniczne 2006
  • Materiały Elektroniczne 2007
  • Materiały Elektroniczne 2008
    • Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 1
    • Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 2
    • Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 3
    • Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4
      • Spis treści 2008 T.36 nr 4
      • Caban Piotr, Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN
      • Kowalik Andrzej, Dyfrakcyjne elementy optyczne do formowania wiązek światła emitowanych przez diody laserowe
      • Maląg Andrzej, Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii
      • Wójcik Marek, Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
      • Kiełbasiński Konrad, Environmental friendly thick film resistors with wide resistance range
      • Zynek Jadwiga, Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP
      • Swatowska Barbara, Influence of material properties on parameters of silicon solar cells
      • Grzesiak Wojciech, The influence of assembly technology on exploatation parameters of power SSL-LEDs
      • Jurków Dominik, Investigation of LTCC thermistor properties
      • Jurków Dominik, Novel bonding method of low temperature cofired ceramic tapes
      • Prociow Eugeniusz L., Evaluation of electrical properties of Eu and Pd-doped titanium dioxide thin films deposited on silicon
      • Sitek Janusz, 2008, Assembly and solidering problems in Leadfree through hole reflow technique
  • Materiały Elektroniczne 2009
  • Materiały Elektroniczne 2010
  • Materiały Elektroniczne 2011
  • Materiały Elektroniczne 2012
  • Materiały Elektroniczne 2013
  • Materiały Elektroniczne 2014
  • Materiały Elektroniczne 2015
  • Materiały Elektroniczne 2016
  • Materiały Elektroniczne 2017
  • Materiały Elektroniczne 2018
  • Materiały Elektroniczne 2019
  • Materiały Elektroniczne 2020

Nazwa wydania	Data
Caban Piotr, Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Kamiński Paweł

2010

Tekst

• ris
• BibTeX

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2010

Tekst

• ris
• BibTeX

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Tymicki Emil

2011

Tekst

• ris
• BibTeX

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych

Kamiński Paweł

2011

Tekst

• ris
• BibTeX

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych

Lenkiewicz D.

2007

Tekst

• ris
• BibTeX

Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne

Dumiszewska Ewa

2003

Tekst

• ris
• BibTeX

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym

Wójcik Marek

2012

Tekst

• ris
• BibTeX

Detektory promieniowania ultrafioletowego z GaN i AlGaN

Zynek Jadwiga

2001

Tekst

• ris
• BibTeX

Więcej

podobne w FBC

Więcej w FBC