Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Download

Title: Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Creator:

Strzelecka Stanisława

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2

Publisher:

Place of publishing:

Description:

78-103 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 102-103

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:5392

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne InP GaP

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

May 22, 2012

Number of object content downloads / hits:

2180

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/15636

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Strzelecka Stanisława, Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni	Oct 2, 2020

Objects Similar

Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2007

Tekst

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2009

Tekst

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne

Strupiński Włodzimierz

1985

Tekst

Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej

Strupiński Włodzimierz

1988

Tekst

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Tekst

Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowanych kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC

Surma Barbara

2009

Tekst

Estymacja ciśnień w reaktorze do syntezy InP metodą HGF na podstawie pomiaru rozkładu temperatury

Materna Andrzej

2006

Tekst

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 2 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych

Nishizawa Jun-ichi

1997

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information