Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 2 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 2 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych

Pobierz

Tytuł: Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 2 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych

Twórca:

Nishizawa Jun-ichi

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 1

Współtwórca:

Wydawca:

Miejsce wydania:

Opis:

5-16 s. : il. ; Bibliogr. s. 16

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:15918

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne stechiometria poziom głęboki InP

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

23 paź 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

328

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/15010

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Nishizawa Jun-ichi, Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 2	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Estymacja ciśnień w reaktorze do syntezy InP metodą HGF na podstawie pomiaru rozkładu temperatury

Materna Andrzej

2006

Tekst

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka Stanisława

2006

Tekst

Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice

Dumiszewska Ewa

2015

Tekst

Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem

Strzelecka Stanisława

1992

Tekst

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)

Jasik Agata

1998

Tekst

Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP

Zynek Jadwiga

2008

Tekst

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. Rozprawa doktorska

Kozłowski Roman

2001

Tekst

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 1

Nishizawa Jun-ichi

1996

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji