Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Download

Title: Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Creator:

Pawłowski, Michał

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2

Publisher:

Place of publishing:

Description:

Bibliogr. s. 75-77 ; 48-77 s. : il. 24 cm.

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:5401

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic journal - materials SI GaAs struktura defektowa ILT PITS

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

May 23, 2012

Number of object content downloads / hits:

680

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/15635

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Pawłowski Michał, Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a	Oct 2, 2020

Objects Similar

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals

Jabłoński Ryszard

1988

Text

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs = X-ray investigation of semi-insulating GaAs single crystals

Wierzchowski Wojciech

1988

Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988

Text

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method

Hruban Andrzej

2012

Text

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych = Semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs) for MESFET's and integrated circuits

Hruban Andrzej

1990

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information