Title:

Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2

Creator:

Pawłowski, Michał

Publisher:

ITME

Place of publishing:

Warszawa

Date issued/created:

2006

Description:

Bibliogr. s. 75-77 ; 48-77 s. : il. 24 cm.

Subject and Keywords:

Electronic - materials ; Electronic journal - materials ; SI GaAs ; struktura defektowa ; ILT PITS

Relation:

Electronic Materials

Volume:

34

Issue:

1/2

Start page:

48

End page:

77

Resource type:

Text

Detailed Resource Type:

Article

Format:

application/pdf

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

pol

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Open