Tytuł:

Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2

Twórca:

Pawłowski Michał

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

2006

Opis:

48-77 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 75-77

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopisma - materiały ; Materiały elektroniczne ; SI GaAs ; struktura defektowa ; ILT PITS

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

34

Zeszyt:

1/2

Strona pocz.:

48

Strona końc.:

77

Typ zasobu:

Tekst

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty