Wpływ udziału ziaren SiC na zjawisko krzywych R w spiekach Al2O3 - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Wpływ udziału ziaren SiC na zjawisko krzywych R w spiekach Al2O3

Pobierz

Tytuł: Wpływ udziału ziaren SiC na zjawisko krzywych R w spiekach Al2O3

Twórca:

Tomaszewski Henryk

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4

Współtwórca:

Bomniecki, Marek ; Węglarz Helena

Wydawca:

Miejsce wydania:

Opis:

15-27 s. : il. ; Bibliogr. s. 26-27

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:17428

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały Elektronika - materiały krzywa R ceramika SiC

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

22 lis 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

688

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/15245

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Tomaszewski Henryk, Wpływ udziału ziaren SiC na zjawisko krzywych R w spiekach Al2O3	2 paź 2020

Obiekty Podobne

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

Tymicki Emil

2012

Tekst

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi

Sakowska Halina

2012

Tekst

SiC die-substrate connections for high temperature applications

Szczepański Zbigniew

2009

Tekst

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

Pawłowski Mariusz

2008

Tekst

SiC Schottky barrier rectifiers - theory and practice

Synowiec Zdzisław

2004

Tekst

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Kamiński Paweł

2010

Tekst

Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metoda chemicznego barwienia

Przyborowska Krystyna

2011

Tekst

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN

Caban Piotr

2008

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji