Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień

Download

Title: Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień

Creator:

Kamiński Paweł

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1996 T.24 nr 1

Contributor:

Kozłowski Roman ; Misiuk Andrzej

Publisher:

Place of publishing:

Description:

5-14 s. : il. ; Bibliogr. s. 13-14

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:15157

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały pułapka elektronowa Cz-Si wysokociśnieniowa obróbka termiczna

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Oct 12, 2012

Number of object content downloads / hits:

432

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/14917

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kamiński Paweł, Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień	Oct 2, 2020

Objects Similar

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach

Grzejszczyk Wanda

1990

Tekst

Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni

Możdżonek Małgorzata

2007

Tekst

Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego

Adamkiewicz Grażyna

1986

Tekst

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Kamiński Paweł

2010

Tekst

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych

Kamiński Paweł

2011

Tekst

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP

Kamiński Paweł

2007

Tekst

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV

Kamiński Paweł

1991

Tekst

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information