Układ polaryskopu optycznego do bdań naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = Plane polariscope for photoelastic measurement of semiconductors - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Układ polaryskopu optycznego do bdań naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = Plane polariscope for photoelastic measurement of semiconductors

Download

Title: Układ polaryskopu optycznego do bdań naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = Plane polariscope for photoelastic measurement of semiconductors

Creator:

Adamkiewicz, Grażyna

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)

Contributor:

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 19-26 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 26

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:9481

Source:

click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - material Electronic materials polariscope photoelastic properties semiconductor

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Aug 6, 2012

Number of object content downloads / hits:

1670

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/12413

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Adamkiewicz Grażyna, Układ polaryskopu optycznego do bdań naprężeń w materiałach półprzewodnikowych	Oct 2, 2020

Objects Similar

Potencjalne możliwości zastosowań polaryskopu liniowego do badań naprężeń i defektów strukturalnych w materiałach półprzewodnikowych = Potentialities of the plane polariscope for studing of residual stress and crystallographic defects in semiconductors

Adamkiewicz Grażyna

1988

Text

Symetria odkształceń sieci monokryształów o orientacji <111> otrzymanych metodą Czochralskiego = Symmetry of strain in <111> oriented Czochralski-grown crystals

Adamkiewicz Grażyna

1987

Text

Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego = Studies of residual stress in Czochralski-grown crystals

Adamkiewicz Grażyna

1986

Text

Możliwości modyfikacji charakterystyk promieniowania laserów półprzewodnikowych przez superpozycję naprężeń w warstwie aktywnej = On the possibility of modification of semiconductor laser emission characteristics by strain superposition in active region

Maląg Andrzej

2002

Text

Fotometryczna metoda pomiaru naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = Intensity method for stress measurement of semiconductors

Bajor Andrzej

1985

Text

Zastosowanie formuły Robertsona do wyznaczania wielkości naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = The use of Robertson's formula for the evaluation of stress in semiconductor materials

Bajor Andrzej

1987

Text

Badania mikrostruktury półprzewodnikowych materiałów tlenkowych = Investigation of microstructure semiconductor oxides

Petrović W.J

1976

Text

Przegląd metod analizy metali i materiałów półprzewodnikowych = Methods of analysis of metals and semiconductors

Jaworski Czesław

1975

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information