Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Pobierz

Tytuł: Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Twórca:

Drzewiecki Paweł

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1976 nr 2(14)

Współtwórca:

Jaskólska Anna ; Czerwińska Anna

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Opis:

s. 34-41 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 41

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:20265

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - materials Electronic - journal - materials Si wafer

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

18 lut 2013

Liczba pobrań / odtworzeń:

695

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/10853

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Drzewiecki Paweł, Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR = Measurement of long range surface flatness deviation of Siu wafers by means of HR XRR method

Mazur Krystyna

2008

Text

Badania nad mechanicznym i chemicznym pocienianiem termicznie połączonych płytek krzemowych = The investigation of the mechanical and chemical thinning of silicon bonded wafers

Piątkowski Bronisław

2002

Text

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Dobiech Teresa

1982

Text

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

Jakubicki Wojciech

1973

Text

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič, Andreja V.

1977

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji